[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110488663.2 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192841A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 严强生;卓明川;刘冲;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底内形成有沟槽，所述衬底的表面和所述沟槽的侧壁及底部依次形成有场氧化层和第一介质层，衬底表面的场氧化层和第一介质层之间形成有研磨停止层，沟槽内形成有屏蔽栅；采用湿法刻蚀工艺去除部分场氧化层和部分所述第一介质层，以暴露屏蔽栅的上表面及部分侧壁；去除部分研磨停止层，以暴露沟槽两侧的部分衬底的表面。本发明通过刻蚀部分研磨停止层暴露并消除湿法刻蚀场氧化层过程中形成的空洞，减少或避免空洞在后续工艺中对半导体器件的性能产生影响。此外，本发明在空洞所在区域的衬底表面及沟槽侧壁的部分场氧化层上形成保护层，避免衬底在后续工艺中受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
