[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110406457.2 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113206066A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 郭丰维;廖文翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L23/498;H01L23/538;H01Q1/22;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含第一重布结构，其中所述第一重布结构包含第一导电图案。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的裸片。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的模制件，其中所述模制件包围所述裸片，且所述模制件具有第一介电常数。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述模制件的电介质部件，其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数。所述半导体结构进一步包含所述裸片、所述电介质部件及所述模制件上的第二重布结构，其中所述第二重布层包含所述电介质部件上的天线，且所述天线电连接到所述裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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