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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202311114386.4在审
发明人： 郭丰维;廖文翔;陈清晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种器件包括：接地面，电连接至至少一个导电柱的近端；和天线焊盘，基本上平行于接地面，其中，天线焊盘通过具有第一介电常数的介电衬垫与至少一个导电柱的远端分隔开，其中，接地面、至少一个导电柱和介电衬垫围绕天线腔，天线腔填充有具有第二介电常数的介电填充材料，第二介电常数与第一介电常数不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]波导结构及其形成方法-CN202110260108.4有效
发明人：陈焕能;郭丰维;徐敏翔;卓联洲;周淳朴;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种波导结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，提供一种光学衰减结构。所述光学衰减结构包含衬底、波导、掺杂区、光学衰减部件及电介质层。所述波导在所述衬底上方延伸。所述掺杂区放置于所述衬底上方，且包含第一掺杂区、与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离的第二掺杂区、在所述衬底上方及在所述第一掺杂区中延伸的第一电极及在所述衬底上方及在所述第二掺杂区中延伸的第二电极。所述第一光学衰减部件与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间。所述电介质层放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述掺杂区及所述第一光学衰减部件。
波导结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置以及用于产生其布局图的方法及系统-CN202011082984.4有效
发明人： 郭丰维;周淳朴;陈焕能;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：晶体管层，包括至少一个晶体管的组件、具有在第一方向上延伸的长轴的波导以及在所述波导之上的第一内连层；由金属化层形成的堆叠，在所述晶体管层之上，所述堆叠包括一个或多个第二内连层，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中对应的成对的相邻金属化层之间；以及加热器，在所述第一内连层中或者在所述一个或多个第二内连层之一中；且其中相对于与所述第一方向实质上垂直的第二方向而言，所述加热器与所述波导的至少一部分实质上交叠。
半导体装置以及用于产生布局方法系统

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110675284.4有效
发明人：陈建宏;卓联洲;陈焕能;徐敏翔;郭丰维;林志昌;宋巍巍;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]光栅耦合器、光通信系统以及光栅耦合器制造方法-CN202110858700.4在审
发明人： 郭丰维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本文中实施例公开一种集成在光子使能电路中的光栅耦合器和其制造方法。在一些实施例中，光栅耦合器包含：衬底，包括硅晶片；第一光栅区，蚀刻到衬底中，其中第一光栅区包括具有第一预定高度的多个第一光栅；以及第二光栅区，蚀刻到衬底中，其中第二光栅区包括具有第二预定高度的多个第二光栅，且其中第一预定高度和第二预定高度不相同。
光栅耦合器光通信系统以及制造方法

[发明专利]封装件结构、封装件及其形成方法-CN202210172663.6在审
发明人： 郭丰维;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种封装件结构、封装件及其形成方法。封装件结构包括第一管芯，位于第一管芯上方并且电连接到第一管芯的第二管芯，在第二管芯周围的绝缘材料，延伸穿过绝缘材料并电连接到第二管芯的第一天线，第一天线与第二管芯的第一侧壁相邻，其中第一天线包括延伸穿过绝缘材料的第一导电板以及延伸穿过绝缘材料的多个第一导电柱，其中第一导电板位于多个第一导电柱和第二管芯的第一侧壁之间。
封装结构及其形成方法

[发明专利]用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法-CN202210086761.8在审
发明人： 郭丰维;夏兴国;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光学信号处理的器件和系统及制造半导体器件的方法。用于光学信号处理的器件包括第一层、第二层和波导层。透镜设置在第一层内且相邻于第一层的表面。第二层位于第一层下方且相邻于第一层的另一表面。波导层位于第二层下方，并配置成波导在波导层中传输的光束。光栅耦合器设置在波导层之上。透镜配置成从光栅耦合器或光引导器件中的一者接收光束，并将光束聚焦到光引导器件或光栅耦合器中的另一者。
用于光学信号处理器件系统制造半导体器件方法

[发明专利]极化无关的光电装置-CN201910216017.3有效
发明人：周淳朴;郭丰维;陈焕能;卓联洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开一种极化无关的光电装置。所述装置包含散射结构以及收集结构。散射结构布置成沿第一散射轴以及沿第二散射轴同时对入射电磁辐射进行散射。第一散射轴与第二散射轴非正交。收集结构收集散射的电磁辐射且包含与第一散射轴对准的第一输入端口以及与第二散射轴对准的第二输入端口。
极化无关光电装置

[发明专利]用于产生光栅耦合器的物理布局的方法-CN202110400326.3在审
发明人： 郭丰维;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：一种用于产生集成在光子启用的电路中的光栅耦合器的物理布局的方法及系统。在一些实施例中，所述方法进行以下操作：接收参数化波长、参数化第一折射率、参数化第二折射率、参数化锥形长度、参数化宽度、参数化光栅长度、以及入射到光栅耦合器上的光束的参数化入射角并且基于所接收的参数化输入来产生光栅耦合器的物理布局，所述产生物理布局是根据预定的模型进行；以及输出光栅耦合器的物理布局，以用于在半导体制作工艺下进行制造。
用于产生光栅耦合器物理布局方法

[发明专利]用于射频互连件RFI的发射器-CN201611051004.8有效
发明人： 郭丰维;周淳朴;陈焕能;卓联洲;沈武 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于射频互连件RFI的发射器，其包含经配置以产生时钟恢复信号且将所述时钟恢复信号发射到接收器的载波产生器。所述载波产生器包含经配置以接收第一信号且基于所述第一信号而产生第一载波信号的第一调谐布置。所述载波产生器包含经配置以接收不同于所述第一信号的第二信号且基于所述第二信号而产生第二载波信号的第二调谐布置。所述发射器包含经配置以产生第一经调制数据信号的第一调制器。所述发射器进一步包含经配置以产生第二经调制数据信号的第二调制器。所述发射器包含经配置以将所述第一经调制数据信号及所述第二经调制数据信号选择性地发射到所述接收器的输出。
用于射频互连 rfi 发射器

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110406457.2在审
发明人： 郭丰维;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含第一重布结构，其中所述第一重布结构包含第一导电图案。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的裸片。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的模制件，其中所述模制件包围所述裸片，且所述模制件具有第一介电常数。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述模制件的电介质部件，其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数。所述半导体结构进一步包含所述裸片、所述电介质部件及所述模制件上的第二重布结构，其中所述第二重布层包含所述电介质部件上的天线，且所述天线电连接到所述裸片。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202011472785.4在审
发明人：宋巍巍;斯帝芬鲁苏;陈建宏;卓联洲;郭丰维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括排列在衬底之上的绝缘体层。此外，上部布线结构排列在绝缘体层之上且由半导体材料制成。下部光学布线结构排列在衬底下方且嵌置在下部介电结构中。集成芯片还包括排列在衬底下方且直接接触衬底的减反射层。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]半导体封装件-CN201611156539.1有效
发明人： 郭丰维;廖文翔;周淳朴;陈焕能;卓联洲;沈武 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括第一半导体器件、垂直设置在第一半导体器件上方的第二半导体器件，以及接地屏蔽传输路径。接地屏蔽传输路径将第一半导体器件连接至第二半导体器件。接地屏蔽传输路径包括第一信号路径，其在第一端和第二端之间纵向延伸。第一信号路径包含导电材料。第一绝缘层设置在所述信号路径上方，并纵向位于所述第一端和所述第二端之间。第一绝缘层包含电绝缘材料。接地屏蔽层设置在所述绝缘材料上方，并纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间。所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。接地屏蔽层将其中接收的辐射信号导入地面，以防止第一信号路径中的感应噪音。本发明实施例涉及3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法。
半导体封装

[发明专利]天线封装、天线封装系统及制造天线封装的方法-CN202010194655.2在审
发明人： 郭丰维;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种天线封装、天线封装系统及制造天线封装的方法。制造天线封装的方法包括：在载体上沉积包括聚苯并二恶唑的绝缘层；在粘合层上形成包括聚亚酰胺的背侧层；在背侧层之上形成晶粒附接膜；在第二背侧层上形成一或多个中介层通孔壁结构及一或多个中介层通孔光栅结构；将诸如射频集成电路晶粒的晶粒置放在晶粒附接膜上；通过模塑料来嚢封晶粒、一或多个中介层通孔壁结构及一或多个中介层通孔光栅结构，以形成包括一或多个天线区域的天线封装；以及在嚢封封装体上形成重布层结构。重布层结构可包括耦接至晶粒的一或多个天线结构。一或多个天线结构中的每一者可定位在一或多个天线区域上方。
天线封装系统制造方法

[发明专利]用于校验具有光子器件的集成电路堆叠的方法-CN202010830759.8在审
发明人： 郭丰维;李惠宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本公开提出一种用于校验具有至少一个硅光子器件的集成电路堆叠的方法。此方法将虚设层和虚设层文本添加到集成电路的至少一个硅光子器件的端子，并进行对包含虚设层和虚设层文本的集成电路的布局对比原理图(layout versus schematic)检查。
用于校验具有光子器件集成电路堆叠方法

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