[发明专利]提高晶片抛光厚度均匀性的方法有效
| 申请号： | 202110406099.5 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113290426B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 徐良;曹力力;占俊杰;邢晓鹏;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;黄仕华;孟秀清;刘圣龙 | 申请（专利权）人： | 金华博蓝特新材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B49/04;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 王志红 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体生产加工领域，具体公开了一种提高晶片抛光厚度均匀性的方法，包括以下步骤：使用抛光头对多个呈环形排布的测试晶片进行抛光处理，得到抛光后的测试晶片；获取抛光后每个测试晶片不同位置的厚度数据；根据所述厚度数据确定所述抛光头不同位置的压力值；根据所述抛光头不同位置的压力值确定校正垫板的形状；将确定的校正垫板放置在所述抛光头与抛光盘之间；对抛光盘上的待处理晶片进行抛光处理。根据测试晶片不同位置的厚度数据确定抛光头不同位置的压力分布，进而确定校正垫板的形状，通过校正垫板的加入来调节抛光头的压力均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶片 抛光 厚度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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