[发明专利]碳基光泵浦半导体高能激光器及激光装置在审
| 申请号： | 202110384393.0 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113131334A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 许晓军;王红岩;李康;杨子宁;崔文达;韩凯 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 赵琴娜 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳基材料辅助散热光泵浦半导体高能激光器，包括：碳基材料基板，所述碳基材料基板的一面为工作面，另一面为导热面；光泵浦半导体激光器芯片，所述光泵浦半导体激光器芯片设置在所述碳基材料基板的工作面，所述光泵浦半导体激光器芯片上设有增益区，所述增益区提供的能量增益至少占所述光泵浦半导体激光器芯片提供能量增益的95％；冷却流体供给装置，所述冷却流体供给装置设置在所述碳基材料基板的导热面，以提供高速冲击的冷却流体对所述碳基材料基板进行导热降温。通过扩大激光器芯片的工作区域面积，提高激光器的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳基光泵浦 半导体 高能 激光器 激光 装置 | ||
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- 佟存柱;舒世立;田思聪;汪丽杰;张新;王立军 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2018-11-09 - 2020-08-11 - H01S5/04
- 本发明实施例公开了一种半导体激光装置，包括至少一个半导体激光结构，该半导体激光结构除包括半导体激光器以及准直镜外，还包括位于所述准直镜背离所述半导体激光器一侧的第一反射结构，其中，所述半导体激光器出射的第一出射光束被所述准直镜准直后形成第二出射光束射出，所述第一反射结构用于对所述第二出射光束至少部分反射，形成第一反射光束反射回所述半导体激光器，调节所述半导体激光器出射的第三出射光束的光束质量因子，从而实现所述半导体激光装置出射的激光光束的光束质量和功率的调节，使得所述半导体激光装置可以应用于具有不同光束质量和功率需求的场景下，扩大了所述半导体激光装置的应用范围。
- 一种利用有机激光增益介质薄膜实现双自发辐射放大的方法-201810625826.5
- 赖文勇;潘劲强;江翼;林赫;黄维 - 南京邮电大学
- 2018-06-18 - 2020-07-03 - H01S5/04
- 本发明公开了一种利用有机激光增益介质薄膜实现双自发辐射放大的方法，包括以下步骤：步骤a，制备有机激光增益介质薄膜器件，该器件由衬底和有机激光增益介质组成，其中，有机激光增益介质均匀沉积在衬底上；步骤b，对制备好的有机激光增益介质薄膜器件进行泵浦激光激射；泵浦激光能量大小达到有机激光增益介质的自发辐射放大的增益饱和值。该方法利用有机激光增益介质在衬底上形成光滑的薄膜层，通过改变有机激光增益介质薄膜的激发波长，实现器件的自发辐射放大阈值的改变，并在特定泵浦激光波长和泵浦能量超过自发辐射增益饱和下实现器件的双自发辐射放大。该方法操作简单易行、成本低廉，可以应用于构筑有机薄膜双自发辐射放大器件。
- 调制电子束泵浦半导体量子点白光随机激光通信光源-201710350829.8
- 刘春阳;母一宁;王帅;于长明;李野;王新;宋德;杨继凯;王连锴;陈卫军;秦旭磊 - 长春理工大学;长春市紫微光电科技有限责任公司;长春威视追光科技有限责任公司
- 2017-05-18 - 2020-06-26 - H01S5/04
- 调制电子束泵浦半导体量子点白光随机激光通信光源属于光通信技术领域。现有技术调制带宽窄、结构复杂。在本发明之调制电子束泵浦半导体量子点白光随机激光通信光源中，红外种子光源、准直扩束镜、光电阴极、微通道板、电子束聚焦极、透射式阳极和半导体量子点发光层依次同轴排列；在光电阴极、微通道板、电子束聚焦极、透射式阳极之间加有方向相同的电压；透射式阳极覆盖在半导体量子点发光层上；在所述半导体量子点发光层内均匀分布等摩尔量的蓝光、绿光和红光半导体量子点，还均匀分布有与蓝光、绿光和红光分别相对应的具有消光作用的贵金属纳米晶。本发明应用于可见光无线通信，发出经调制电子束泵浦调制的白光随机激光载波，在进行室内照明的同时，实现可见光无线通信。
- 一种基于声光相互作用的激光光源-201810922094.6
- 孙军强;秦森彪 - 华中科技大学
- 2018-08-14 - 2020-05-19 - H01S5/04
- 本发明公开了一种基于声光相互作用的激光光源，包括位于衬底(7)上的直波导(1)、声子源(4)及两条声子晶体波导(2)，直波导(1)位于两条声子晶体波导(2)之间，直波导(1)的两个侧面分别与这两条声子晶体波导(2)紧邻；声子源(4)位于直波导(1)的一端，用于向该直波导(1)提供声子；声子晶体波导(2)则用于将满足预期频率要求的声子限制在该直波导(1)中；此外，衬底(7)为硅材料，直波导(1)为锗材料或硅材料。本发明结合声子晶体材料，对声场进行限制，减小声场的泄漏，从而实现基于声光相互作用的激光光源(尤其是锗硅激光光源)，由此避免了应变或掺杂等制备锗硅激光器所需采用的现有技术，提高了器件的性能。
- 一种硅基激光器及其制造方法、光模块-201710547808.5
- 隋少帅 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
- 2017-07-06 - 2020-02-28 - H01S5/04
- 本发明提供一种硅基激光器及其制造方法、光模块，涉及硅光子集成技术领域，用于简化硅基激光器的制造工艺。该硅基激光器包括：硅衬底层、设置于硅衬底层上的硅波导、硅微型谐振腔、硅反射镜以及键合于硅波导上用于向硅波导提供光的光芯片；硅波导的一端连接硅微型谐振腔，另一端连接硅反射镜；硅微型谐振腔用于对硅导波输入的光芯片提供的光进行谐振；硅反射镜对不同波长的光具有不同的反射率，用于通过硅导波接收硅微型谐振腔输出的光，部分反射硅微型谐振腔输出的光，并通过硅导波将反射的传导至硅微型谐振腔进行谐振，部分透射硅微型谐振腔输出的光对外输出。
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