[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110361488.0 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN113097173A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 崔伦华 申请(专利权)人: JMJ韩国株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 刘云飞
地址: 韩国京畿道富*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明包括:延伸形成有一个以上的第1基板端子(111)的一个以上的第1基板(110);在第1基板(110)上面通过超音波熔接粘接的一个以上的第2基板(120);在第2基板(120)上面粘接的一个以上的半导体芯片(130);覆盖将一个以上的半导体芯片(130)和第2基板(120)的超音波熔接的区域的封装外壳(140);及与第1基板(110)分离形成,通过电信号线(151)与一个以上的半导体芯片(130)电性连接且一个以上向封装外壳(140)外部裸露的端子(150),在封装外壳(140)内部形成的端子(150)的厚度与第1基板(110)的厚度相同或更小,在第2基板(120)的上面表面形成有一个以上的压印槽(122)。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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