[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
申请号: | 202110361488.0 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113097173A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 崔伦华 | 申请(专利权)人: | JMJ韩国株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 刘云飞 |
地址: | 韩国京畿道富*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明包括:延伸形成有一个以上的第1基板端子(111)的一个以上的第1基板(110);在第1基板(110)上面通过超音波熔接粘接的一个以上的第2基板(120);在第2基板(120)上面粘接的一个以上的半导体芯片(130);覆盖将一个以上的半导体芯片(130)和第2基板(120)的超音波熔接的区域的封装外壳(140);及与第1基板(110)分离形成,通过电信号线(151)与一个以上的半导体芯片(130)电性连接且一个以上向封装外壳(140)外部裸露的端子(150),在封装外壳(140)内部形成的端子(150)的厚度与第1基板(110)的厚度相同或更小,在第2基板(120)的上面表面形成有一个以上的压印槽(122)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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