[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110346922.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113471274A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;陈冠仲;刘昌淼 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例揭示一种具有不同栅极结构组态的半导体装置以及一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：沉积围绕纳米结构通道区的高介电常数介电层；使用稀土金属基掺质并以第一稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部分与第二部分进行第一掺杂步骤；以及使用稀土金属基掺质并以第二稀土金属基掺质浓度对高介电常数介电层的第一部分与第三部分进行第二掺杂步骤，第二稀土金属基掺质浓度与第一稀土金属基掺质浓度不同。半导体的制造方法还包括于高介电常数介电层上沉积功函数金属层以及于功函数金属层上沉积栅极填充层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110346922.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：不良预测装置
- 下一篇：检查屏蔽电线端接部分的检查装置和诊断其性能的方法
- 同类专利
- 专利分类
