[发明专利]一种自对准的DMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110313543.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113140619A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 柳志亨;乔伊·迈克格雷格;杨海峰;肖德明 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种制造DMOS器件的方法，包括：通过掩膜板上的窗口刻蚀多晶硅层，所述多晶硅层位于阱区之上，所述阱区位于半导体衬底内；通过多晶硅层上被刻蚀后形成的窗口，向阱区注入杂质来形成体区；在多晶硅层被刻蚀后形成的侧壁包裹间隔；通过间隔形成的窗口来形成体接触区；在去除间隔后，通过掩膜工序来形成栅极；以及通过掩膜工序来形成源极区和漏极接触区。本发明采用侧壁间隔和栅极遮挡技术替代掩膜工序来制作N+/P+/N+区域，以得到更小的源极区，同时有效降低了制造DMOS器件的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 dmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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