[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底、栅极介电层、阻挡层以及栅电极，衬底具有沟槽；栅极介电层覆盖在沟槽的表面；阻挡层覆盖在栅极介电层的表面，且阻挡层包括突出部和主体部，突出部位于主体部的上方；栅电极位于沟槽中，栅电极包括第一部分和第二部分，第一部分位于第二部分的上方，且第一部分的宽度小于第二部分的宽度；其中，第一部分的上表面高于突出部，第二部分的上表面低于突出部。阻挡层的突出部能够压设在栅电极的第二部分上，从而增加衬底与栅电极之间的距离，改善栅极诱导漏极泄漏的问题。