[发明专利]半导体元件结构及其形成方法在审
申请号: | 202110274391.6 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113451299A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 黄则尧 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L49/02;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开涉及一种半导体元件结构及其形成方法。该半导体元件结构,包括:一隔离结构,设置于一半导体基板中;一栅极电极和一电阻电极,设置于该半导体基板中,其中该隔离结构设置于该栅极电极和该电阻电极之间,且该隔离结构离该电阻电极比离该栅极电极更近;以及一源/漏极(S/D)区域,设置于该半导体基板中及该栅极电极和该隔离结构之间,其中该S/D区域电性连接至该电阻电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的