[发明专利]集成电路装置的结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110274387.X | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113451135A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 潘冠廷;詹易叡;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一实施例，集成电路装置的结构包括了第一组鳍片结构、第二组鳍片结构以及位于第一组鳍片结构与第二组鳍片结构之间的介电质堆叠。介电质堆叠的顶表面与第一组鳍片结构及第二组鳍片结构的顶表面实质上处于同水平。介电质堆叠包括了顺应介电质堆叠的底部及侧壁的第一介电材料、沿着介电质堆叠的顶表面的第二介电材料、以及位于介电质堆叠中间的第三介电材料。集成电路装置的结构还包括位于第一组鳍片结构、第二组鳍片结构及介电质堆叠上方的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
