[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110265071.4 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112908858A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 卓明川;曹秀亮;高学 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有沟槽，所述沟槽的侧壁和底部形成有场氧化层，所述沟槽内填充有电极连接层，所述场氧化层在所述沟槽的开口处靠近所述电极连接层的位置处形成有凹陷；在所述衬底上形成保护层，以使所述保护层完全填充所述凹陷；以及，去除部分所述保护层，使所述沟槽内的所述保护层、所述场氧化层及所述电极连接层与所述衬底的表面齐平。本发明在形成有电极连接层的沟槽上形成保护层，以填充场氧化层在湿法刻蚀过程中形成的凹陷，避免了后续工艺中多晶硅在所述凹陷中的残留，进而避免了残留的多晶硅与所述电极连接层发生短接而导致的器件漏电或短路，提高了所述半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
