[发明专利]LDMOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 202110080613.0 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112909095A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，通过对LDMOS器件靠近沟道一侧的场板介质层STI进行刻蚀并填充可导电的第二掺杂多晶硅层，使得靠近沟道区的场板介质层厚度小于STI的整体介质层厚度，并且填充的多晶硅层与器件的栅极多晶硅层短接，器件的场板介质层由第二多晶硅层进行分割，实现第二多晶硅靠近沟道一侧的侧壁的场板介质层厚度和底部的场板介质层厚度小于STI的整体厚度，使得器件的特性得到进一步改善。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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