[发明专利]在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法有效

专利信息
申请号: 202080000609.2 申请日: 2020-03-23
公开(公告)号: CN111492480B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 孙中旺;张中;周文犀;夏志良 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 张殿慧;刘健
地址: 430223 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在示例中,3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构,该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。桥接结构包括下部壁部分和上部阶梯部分。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括台阶。第一对阶梯中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的至少一者。
搜索关键词: 三维 存储 器件 中的 阶梯 结构 用于 形成 方法
【主权项】:
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