[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011637491.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820645B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 周源;方宇;王超;朱林迪;常东旭;梁维佳 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 王乾旭;赵红凯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例中提供了一种功率半导体器件及其制备方法，所述功率半导体器件的制备方法包括：在半导体基板中形成沟槽栅型MOS结构，所述沟槽栅型MOS结构包括体区、第一沟槽、第二沟槽、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一多晶硅、第二多晶硅、源区、第四绝缘层以及第五绝缘层；沉积停止层；在所述停止层表面沉积层间介质层；对所述层间介质层、所述停止层、所述第三绝缘层以及所述第五绝缘层进行刻蚀；对所述第一沟槽周围的体区和所述第二多晶硅进行刻蚀；对所述第一沟槽周围的体区表面进行掺杂。采用本申请中的方案，可以通过在主单元区域统一制作导电层实现电极的引出，从而减小工艺控制难度，提高成品率，减小制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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