[发明专利]进气结构及半导体沉积设备

摘要

本发明公开一种进气结构及半导体沉积设备，所述半导体沉积设备包括反应腔室和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔、第一进气孔、第二进气孔和送气孔，所述第一进气孔、所述第二进气孔和所述送气孔均与所述混合腔连通，所述第一进气孔和所述第二进气孔均用于与所述气源输送管路连通，所述送气孔与所述反应腔室连通。采用上述实施例公开的进气结构可以解决原子层沉积工艺中，因目前不同时间点通入反应腔室内的气体中臭氧和氧气的比例不同，导致形成的氧化铝等沉积层的厚度不同，封装良品率较低的问题。