[发明专利]进气结构及半导体沉积设备

权利要求书

1.一种进气结构，应用于半导体沉积设备，其特征在于，所述半导体沉积设备包括反应腔室(320)和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔(110)、第一进气孔(120)、第二进气孔(130)和送气孔(140)，所述混合腔(110)为圆台状结构件，所述混合腔(110)的第一端面(111)的面积大于所述混合腔(110)的第二端面(112)的面积，所述第一进气孔(120)、所述第二进气孔(130)和所述送气孔(140)均与所述混合腔(110)连通，所述第一进气孔(120)和所述第二进气孔(130)均连通于所述混合腔(110)的侧壁，所述侧壁被任一垂直于所述混合腔(110)的轴线的平面所截得的图形均为圆形，所述送气孔(140)与所述第一端面(111)连通，所述第一进气孔(120)和所述第二进气孔(130)均用于与所述气源输送管路连通，所述送气孔(140)与所述反应腔室(320)连通。

2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述送气孔(140)的轴线平行于所述混合腔(110)的轴线。

3.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述第一进气孔(120)的进气轴线和所述第二进气孔(130)的进气轴线均位于第一平面上，且所述混合腔(110)的轴线与所述第一平面垂直。

4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述第一进气孔(120)的进气轴线与所述第二进气孔(130)的进气轴线之间的夹角为90°。

5.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述第一进气孔(120)的侧壁被所述第一平面截得的图形包括第一侧边(121)和第二侧边(122)，所述第一侧边(121)与所述混合腔(110)的侧壁相切，所述第二侧边(122)所在的直线穿过所述混合腔(110)；

所述第二进气孔(130)的侧壁被所述第一平面截得的图形包括第三侧边(131)和第四侧边(132)，所述第三侧边(131)与所述混合腔(110)的侧壁相切，所述第四侧边(132)所在的直线穿过所述混合腔(110)。

6.根据权利要求2所述的进气结构，其特征在于，所述进气结构还包括减压腔(160)，所述减压腔(160)设置于所述送气孔(140)与所述混合腔(110)之间，所述减压腔(160)为圆柱状结构，且所述减压腔(160)的底面直径等于或大于所述第一端面(111)的直径。

7.根据权利要求6所述的进气结构，其特征在于，所述进气结构设有分隔件(170)，所述分隔件(170)密封连接于所述混合腔(110)和所述减压腔(160)之间，所述分隔件(170)设有多个贯穿孔(171)，多个所述贯穿孔(171)环绕所述分隔件(170)的轴线设置，且任一所述贯穿孔(171)与所述分隔件(170)的边缘之间的间距均小于所述贯穿孔(171)与所述分隔件(170)的中心之间的间距。

8.一种半导体沉积设备，其特征在于，包括反应腔室(320)、气源输送管路和权利要求1-7任意一项所述的进气结构(100)，所述进气结构(100)的送气孔(140)与所述反应腔室(320)连通，所述进气结构(100)的所述第一进气孔(120)和所述第二进气孔(130)均与所述气源输送管路连通。

9.根据权利要求8所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述气源输送管路包括主管路、第一支路和第二支路，所述主管路用于与气体发生器(341)连通，所述主管路通过所述第一支路与所述第一进气孔(120)连通，所述主管路通过所述第二支路与所述第二进气孔(130)连通，所述第一支路和所述第二支路上均设有调压阀和压力检测件。

10.根据权利要求9所述的半导体沉积设备，其特征在于，所述半导体沉积设备为原子层沉积设备，所述气体发生器(341)为臭氧发生器。