[发明专利]进气结构及半导体沉积设备

说明书

本发明公开一种进气结构及半导体沉积设备，所述半导体沉积设备包括反应腔室和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔、第一进气孔、第二进气孔和送气孔，所述第一进气孔、所述第二进气孔和所述送气孔均与所述混合腔连通，所述第一进气孔和所述第二进气孔均用于与所述气源输送管路连通，所述送气孔与所述反应腔室连通。采用上述实施例公开的进气结构可以解决原子层沉积工艺中，因目前不同时间点通入反应腔室内的气体中臭氧和氧气的比例不同，导致形成的氧化铝等沉积层的厚度不同，封装良品率较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种进气结构及半导体沉积设备。

背景技术

随着半导体技术的发展，封装过程也越来越重要，通过在晶圆的表面形成钝化层，可以提升晶圆的抗腐蚀性，且可以防止水氧侵入，能够提升晶圆的使用寿命，二氧化硅钝化层已经无法满足目前的封装要求，而氧化铝薄膜层以其致密性好和覆盖率高等特点逐步成为钝化层选材的主流需求。

目前，制备氧化铝薄膜通常采用原子层沉积的方式，且通过现制现用的方式形成臭氧，以与三甲基铝反应形成氧化铝。由于目前的臭氧发生器的转化比相对较低，制出的产品中为氧气和臭氧的混合气体，且输送管路内不同位置处氧气和臭氧的混合均匀程度不同，导致不同时间点输送至反应腔室内的气体中臭氧和氧气的比例存在较大的偶然性，且反应腔室内不同区域处的氧气和臭氧的比例也不同，造成形成于晶圆上不同位置处的氧化铝沉积层的厚度差异也相对较大，封装良品率较低。

发明内容

本发明公开一种进气结构及半导体沉积设备，以解决因目前不同时间点通入反应腔室内的气体中臭氧和氧气的比例不同，导致形成的氧化铝等沉积层的厚度不同，封装良品率较低的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明公开了一种进气结构，应用于半导体沉积设备，所述半导体沉积设备包括反应腔室和气源输送管路，所述进气结构设有混合腔、第一进气孔、第二进气孔和送气孔，所述第一进气孔、所述第二进气孔和所述送气孔均与所述混合腔连通，所述第一进气孔和所述第二进气孔均用于与所述气源输送管路连通，所述送气孔与所述反应腔室连通。

第二方面，本发明公开了一种半导体沉积设备，其包括反应腔室、气源输送管路和上述进气结构，所述进气结构的送气孔与所述反应腔室连通，所述进气结构的所述第一进气孔和所述第二进气孔均与所述气源输送管路连通。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开一种进气结构，该进气结构能够应用在半导体沉积设备中，半导体沉积设备的气源输送管路与进气结构的第一进气孔和第二进气孔均连通，进气结构的送气孔与反应腔室连通，以在进行沉积工艺的过程中，可以通过第一进气孔和第二进气孔同时向反应腔室内输送气体。由于第一进气孔和第二进气孔均与混合腔连通，从而自第一进气孔和第二进气孔输入至混合腔内的气体能够在混合腔内混合，提升自输送至反应腔室中的气体的均匀程度，保证不同时间点送入反应腔室内的气体的混合程度均基本相同。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明实施例公开的进气结构的结构示意图；

图2是本发明实施例公开的进气结构的剖面示意图；

图3是本发明实施例公开的进气结构在另一方向上的剖面示意图；

图4是本发明实施例公开的进气结构在再一方向上的剖面示意图；

图5是本发明实施例公开的进气结构中分隔件的结构示意图；

图6是本发明实施例公开的原子层沉积设备的结构简图。

附图标记说明：