[发明专利]半导体器件关键尺寸量测方法及取得SEM图像的方法有效
| 申请号： | 202011132183.4 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259469B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 吴林;孟鸿林;张辰明;魏芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件关键尺寸量测方法，涉及半导体集成电路量测技术，在进行第n次扫描获取SEM图像后，实时计算SEM图像和OPC模型预测版图数据轮廓的偏移量(ΔXn，ΔYn)，并当偏移量ΔXn或Δyn大于一阈值时，得出电子束的补正值(ax,ay)和硅片台的补正值(Ax,Ay)，关键尺寸扫描电子显微镜机台获得电子束的补正值(ax,ay)和硅片台的补正值(Ax,Ay)，并补正到第n+1次的扫描获取SEM图像过程中，以实现SEM图像偏移补正，从而提高SEM图像和OPC模型预测版图数据轮廓的对准率，避免和降低因SEM图像和OPC模型预测版图数据轮廓的偏移过大导致的对准无法补偿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 关键 尺寸 方法 取得 sem 图像 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
