[发明专利]一种碳化硅器件埋层型终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011059252.3 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112349771A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王俊;俞恒裕;梁世维;刘航志;江希;彭子舜;岳伟;杨余;张倩 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8258 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410006 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构，包括器件元胞和埋层型多调制环终端，所述器件元胞包括：N+ SiC衬底；位于所述N+ SiC衬底上的P缓冲层；位于所述P缓冲层上的P‑漂移区；位于所述P‑漂移区上的N基区，在N基区上进行离子注入形成门极区，位于所述N基区上的P+阳极区；所述埋层型多调制环终端距离P‑漂移区上表面的深度d≧0.3um。本发明还公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构的制备方法。本发明可以有效缓解因漂移区上表面SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 埋层型 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011059252.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
