[发明专利]一种半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 202011017654.7 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112271162B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 肖为引;阳叶军;邵克坚;张大明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括：衬底上的堆叠结构以及覆盖衬底表面和堆叠结构的介质层；在覆盖衬底表面的介质层中形成有贯穿介质层至衬底上的第一密封环和第二密封环，第一密封环和第二密封环均围绕堆叠结构且第一密封环位于第二密封环和堆叠结构之间；第一密封环和第二密封环之间的介质层中形成有贯穿介质层并暴露衬底的通孔，通孔中形成有填充层。这样，在通孔中形成填充层之后能够对第一密封环和第二密封环之间的介质层起到支撑作用，防止第一密封环和第二密封环之间的介质层发生倾斜，进而形成高质量的第一密封环和第二密封环，提高形成的密封环的效果，并且高质量的密封环有利于提高后续工艺的对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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