[发明专利]多个器件芯片的制造方法在审
申请号: | 202010825811.0 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112420608A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 松冈祐哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 芯片 制造 方法 | ||
1.一种多个器件芯片的制造方法,将在正面侧在由呈格子状设定的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的被加工物沿着各分割预定线分割成各个器件芯片而从该被加工物制造多个器件芯片,其特征在于,
该多个器件芯片的制造方法具有如下的步骤:
孔形成步骤,从该被加工物的外部向该正面侧照射具有被该被加工物吸收的波长的第1激光束,在该多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔;
正面保护步骤,利用保护部件覆盖该被加工物的该正面侧;
内部加工步骤,在将具有透过该被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位在该被加工物的内部的位于比相当于该完工厚度的深度靠该被加工物的背面侧的位置的状态下,沿着各分割预定线从该背面侧照射该第2激光束,在该被加工物的内部形成强度比未照射该第2激光束的区域低的区域;以及
背面侧磨削步骤,对该被加工物的该背面侧进行磨削直至该被加工物成为该完工厚度为止,并且将该被加工物分割成多个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的多个器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该孔形成步骤中,形成未从该正面贯通至该背面的非贯通孔作为该孔。
3.根据权利要求1所述的多个器件芯片的制造方法,其特征在于,
在该孔形成步骤中,形成从该正面贯通至该背面的贯通孔作为该孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造