[发明专利]多个器件芯片的制造方法在审
申请号: | 202010825811.0 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112420608A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 松冈祐哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 芯片 制造 方法 | ||
本发明提供多个器件芯片的制造方法,在对被加工物进行磨削而薄化从而分割的情况下防止器件芯片的角部缺损。该方法具有如下步骤:孔形成步骤,向被加工物的正面侧照射具有被被加工物吸收的波长的第1激光束,在多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔;正面保护步骤,利用保护部件覆盖被加工物的正面侧;内部加工步骤,将具有透过被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位于被加工物的内部,沿着各分割预定线从被加工物的背面侧照射第2激光束,在被加工物的内部形成强度相对较低的区域;和背面侧磨削步骤,对被加工物的背面侧进行磨削直至成为完工厚度为止,将被加工物分割成多个器件芯片。
技术领域
本发明涉及沿着多条分割预定线对被加工物进行分割而制造多个器件芯片的方法。
背景技术
在制造具有IC(Integrated Circuit,集成电路)、LSI(Large ScaleIntegration,大规模集成)等功能元件的器件芯片的工序中,首先在由硅等半导体形成的大致圆盘状的被加工物的正面侧呈格子状设定多条分割预定线。接着,在由多条分割预定线划分的各区域内形成了IC、LSI等功能元件之后,沿着各分割预定线对被加工物进行分割。
为了沿着各分割预定线对被加工物进行分割,例如首先按照沿着各分割预定线的方式在被加工物的内部形成作为机械强度降低的区域的改质层(例如参照专利文献1)。为了形成改质层,使用激光加工装置。
激光加工装置具有用于对被加工物进行保持的卡盘工作台。在卡盘工作台的上方设置有能够照射具有透过被加工物的波长的脉冲状的激光束的激光束照射单元。
在将从激光束照射单元照射的激光束的聚光点定位于被加工物的内部的状态下,使卡盘工作台在规定的方向上移动,从而在被加工物的内部沿着分割预定线形成改质层。
在激光加工后,使用磨削装置对被加工物的背面侧进行磨削。由此,被加工物被薄化,并且受到外力,以改质层为断裂起点而沿着各分割预定线被分割。这样,被加工物通过磨削时的外力而分割成多个器件芯片。
专利文献1:日本特开2006-12902号公报
但是,在使用磨削装置对被加工物的背面侧进行磨削时,在两条分割预定线交叉的交叉部,由于器件芯片的角部彼此摩擦而容易产生缺损。另外,在器件芯片受到外力的情况下,角部所产生的缺损有可能发展至形成有功能元件的区域。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供多个器件芯片的制造方法,在对被加工物进行磨削而薄化从而对被加工物进行分割的情况下,防止器件芯片的角部的缺损。
根据本发明的一个方式,提供多个器件芯片的制造方法,将在正面侧在由呈格子状设定的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的被加工物沿着各分割预定线分割成各个器件芯片而从该被加工物制造多个器件芯片,其中,该多个器件芯片的制造方法具有如下的步骤:孔形成步骤,从该被加工物的外部向该正面侧照射具有被该被加工物吸收的波长的第1激光束,在该多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔;正面保护步骤,利用保护部件覆盖该被加工物的该正面侧;内部加工步骤,在将具有透过该被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位在该被加工物的内部的位于比相当于该完工厚度的深度靠该被加工物的背面侧的位置的状态下,沿着各分割预定线从该背面侧照射该第2激光束,在该被加工物的内部形成强度比未照射该第2激光束的区域低的区域;以及背面侧磨削步骤,对该被加工物的该背面侧进行磨削直至该被加工物成为该完工厚度为止,并且将该被加工物分割成多个器件芯片。
也可以是,在该孔形成步骤中,形成未从该正面贯通至该背面的非贯通孔作为该孔。
另外,也可以是,在该孔形成步骤中,形成从该正面贯通至该背面的贯通孔作为该孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010825811.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于模拟行存取跟踪的设备和方法
- 下一篇:转向装置和转向方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造