[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010799660.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN114078965B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 叶治东;侯俊良;廖文荣;张峻铭;徐仪珊;李瑞池 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制作方法，其包括一基底、一台型结构设置在该基底上、一钝化层设置在该台型结构上，以及至少一接触结构设置在该钝化层及该台型结构中。该台型结构包括一通道层以及一势垒层设置在该通道层之上。该接触结构包括一主体部以及多个凸出部，该主体部穿过该钝化层，该些凸出部与该主体部的一底面连接并且穿过该势垒层以及部分该通道层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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