[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010579349.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112133691A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括第一半导体器件、第二半导体器件、连接器件以及重布线路结构。第一半导体器件接合在第二半导体器件上。连接器件接合在第二半导体器件上且排列在第一半导体器件旁边，其中连接器件包括第一衬底及多个导通孔，导通孔穿透过第一衬底且电连接到第二半导体器件。重布线路结构位于第二半导体器件之上，其中第一半导体器件及连接器件位于重布线路结构与第二半导体器件之间。重布线路结构及第一半导体器件通过连接器件的导通孔电连接到第二半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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