[发明专利]半导体衬底的切割方法及装置和覆膜除去方法及装置在审
| 申请号： | 202010107819.3 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111618439A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 佐川雅彦;武田真和;池田刚史;宫崎宇航 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业株式会社 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L21/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，均匀地除去在半导体衬底的切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜，形成刻划线并沿着刻划线切割半导体衬底。本发明提供一种半导体衬底(1)的切割方法，切割半导体衬底(1)来分割元件(2)，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件(2)，在相邻的元件(2)之间设置有切割迹道，所述半导体衬底的切割方法具有：覆膜除去工序，通过使激光(5)平行地对切割迹道上形成的包含金属膜的覆膜进行多次扫描来除去覆膜；刻划工序，使刻划轮的刀刃以压接状态在除去覆膜后的半导体衬底(1)的切割迹道(3)上滚动来形成刻划线；以及断裂工序，沿着刻划线切割半导体衬底(1)从而分割成各个元件(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 切割 方法 装置 除去 | ||
【主权项】：
暂无信息
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