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[发明专利]激光加工方法、激光加工装置、以及太阳能电池的制造方法-CN202211042133.6在审
发明人： 佐川雅彦;池田刚史;宫崎宇航 -专利权人：三星钻石工业株式会社
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工方法，对于具有第一层(201)和第一层(201)上的第二层(202)的层叠体(200)选择性地加工第二层(202)，该激光加工方法包括：(a)向第二层(202)照射具有第一聚光直径的第一激光，在第二层(202)形成第一槽(G1)的步骤；(b)向第一槽(G1)的内部的第一槽(G1)的中央的两侧分别照射具有比第一聚光直径小的第二聚光直径的第二激光，在第二层(202)形成第二槽(G2)的步骤；以及(c)向第二槽(G2)的内部照射具有比第二聚光直径大的第三聚光直径的第三激光，在第二层(202)形成第三槽(G3)的步骤。本发明在层叠体的选择性加工中能够实现锥度小的激光加工。
激光加工方法装置以及太阳能电池制造

[发明专利]层叠基板的制造方法及层叠基板的制造装置-CN202010805173.6在审
发明人： 佐川雅彦;池田刚史;井上修一 -专利权人：三星钻石工业股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C03B33/023 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠基板的制造方法，其有助于提高层叠基板的品质。该层叠基板的制造方法从包含第一基板和第二基板的母基板(1)制造层叠基板，该层叠基板的制造方法包含第一工序，在该第一工序中，对于以在深度方向上局部地切断第一基板的方式形成有划线痕的母基板，加热第二基板上没有形成划线痕的部分。
层叠制造方法装置

[发明专利]半导体衬底的切割方法及装置和覆膜除去方法及装置-CN202010107819.3在审
发明人： 佐川雅彦;武田真和;池田刚史;宫崎宇航 -专利权人：三星钻石工业株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于，均匀地除去在半导体衬底的切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜，形成刻划线并沿着刻划线切割半导体衬底。本发明提供一种半导体衬底(1)的切割方法，切割半导体衬底(1)来分割元件(2)，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件(2)，在相邻的元件(2)之间设置有切割迹道，所述半导体衬底的切割方法具有：覆膜除去工序，通过使激光(5)平行地对切割迹道上形成的包含金属膜的覆膜进行多次扫描来除去覆膜；刻划工序，使刻划轮的刀刃以压接状态在除去覆膜后的半导体衬底(1)的切割迹道(3)上滚动来形成刻划线；以及断裂工序，沿着刻划线切割半导体衬底(1)从而分割成各个元件(2)。
半导体衬底切割方法装置除去