[发明专利]存储器装置及其制造方法在审

申请号：	202010099230.3	申请日：	2020-02-18
公开（公告）号：	CN113345895A	公开（公告）日：	2021-09-03
发明（设计）人：	曾铃君;李书铭;欧阳自明	申请（专利权）人：	华邦电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/105	分类号：	H01L27/105;H01L21/8239
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司 11127	代理人：	孙乳笋;王涛
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	本发明公开一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含基底、位线、第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜和接触件。位线设置于基底上方。第一绝缘膜设置于位线的侧壁上。第二绝缘膜设置于第一绝缘膜上，其中第二绝缘膜的材料与第一绝缘膜的材料不同，且第二绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。第三绝缘膜设置于第二绝缘膜上，其中第三绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同，且第三绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。接触件设置于基底上方且邻近位线，其中接触件具有下部低于第三绝缘膜的顶表面和上部高于第三绝缘膜的顶表面，且接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。
搜索关键词：	存储器装置及其制造方法
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摘要：本申请公开了一种半导体存储器及其制备方法，能够改进存储器电容的容值和漏电流。其中所述制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上方形成有第一电容极板；在所述第一电容极板的上表面或一侧表面形成介电材料层，且所述介电材料层中至少包括第一介电子层，所述第一介电子层中的氧含量向第二电容极板的方向逐渐降低；在所述介电材料层上方或所述介电材料层的一侧表面形成第二电容极板，所述第二电容极板与所述第一电容极板一起构成所述半导体存储器的存储器电容。

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摘要：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构中，基底；位于基底上，且沿第一方向延伸的电容结构，第一方向平行于基底；其中，电容结构包括下电极层、电容介电层以及上电极层，电容介电层保形覆盖下电极层沿第一方向上延伸的至少部分侧壁，上电极层覆盖电容介电层远离下电极层的表面，且下电极层具有台阶形貌，沿第一方向上，至少部分区域的下电极层在垂直于第一方向上的横截面积依次减小。本公开实施例至少有利于在提高半导体结构的集成密度的同时，提高电容结构的电容量。

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摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明半浮栅存储器包括：L型底栅；覆盖底栅表面的阻挡层；L型半浮栅层，为第一类二维材料，顶部与底栅的顶部持平；半浮栅底部上的半闭合隧穿层，为第二类二维材料，其上表面与半浮栅的顶部相持平；覆盖半浮栅和半闭合隧穿层的沟道层，为第三类二维材料，其上表面与阻挡层的顶部相持平；沟道表面的源极和漏极，为第四类二维材料；第一类二维材料和第三类二维材料构成二极管，第一类二维材料、第三类二维材料与阻挡层、底栅构成栅控二极管。本发明器件可靠性好，数据擦写速度快，且可增加数据保持时间；此外，器件具有较小的体积，适合用于超薄电子设备中。

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摘要：兼具语音识别功能的存储器是对分布式模式处理器的拓展，它根据输入的声学/语言模型（如所需寻找的语音）对本地存储的用户语音数据进行语音检索。该存储器含有多个存储处理单元，每个存储处理单元都含有一个包括语音识别电路的模式处理电路和至少一个存储至少部分用户语音数据的三维存储（3D‑M）阵列。模式处理电路中的所有晶体管均位于一半导体衬底中；3D‑M阵列中的所有存储元均不位于任何半导体衬底中。

含有三维存储阵列的分布式模式处理器-202010416492.8
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申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/105
摘要：分布式模式处理器含有多个存储处理单元，每个单元都含有一个模式处理电路和至少一个三维存储（3D‑M）阵列。模式处理电路将输入的第一模式与存储在3D‑M阵列中的第二模式进行模式匹配或模式识别。模式处理电路中的所有晶体管均位于一半导体衬底中；3D‑M阵列中的所有存储元均不位于任何半导体衬底中。通过采用大规模平行计算，分布式模式处理器能对大型模式库实现快速模式处理。

非易失性存储器元件及其制造方法-202180012927.5
发明人：谷川博信;苅屋田英嗣;田边纮基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本公开的电阻可变式的非易失性存储器元件11具有堆叠30，堆叠30至少包括磁化固定层31、中间层32和存储层33，并且非磁性材料36分散在磁化固定层31和/或存储层33中。

磁器件-202180008222.6
发明人：大沢裕一;與田博明;加藤侑志;與田朋美;岸达也 -专利权人： YODA-S株式会社
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/105
摘要：根据实施方式，磁器件包括第1元件、第1导电类型的第1晶体管、第2导电类型的第2晶体管以及第1～第3布线。第1元件包括第1导电部件和第1层叠体。第1导电部件包括第1部分、第2部分、以及第1部分与第2部分之间的第3部分。第1层叠体包括第1磁性层。第1晶体管包括第1端、第1另一端以及第1栅极。第2晶体管包括第2端、第2另一端以及第2栅极。第1另一端与第1部分电连接。第2另一端与第1磁性层电连接。第1布线与第2部分电连接。第2布线与第1栅极以及第2栅极电连接。第3布线与第1端以及第2端电连接。提供能够高密度化的磁器件。

微小开关及使用其的电子设备-201780007514.1
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申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/105
摘要：一种微小开关，其特征在于，其由第1电极、第2电极及多孔性高分子金属络合物导电体构成，上述多孔性高分子金属络合物导电体以下述式(1)表示，构成上述第1电极的金属与构成上述第2电极的金属的氧化还原电位不同。[MLx]n(D)y(1)，其中，M表示选自元素周期表的2～13族中的金属离子，L表示在其结构内含有2个以上的可与上述M配位的官能团且可与2个上述M交联的配体，D表示不包含金属元素的导电性助剂。x为0.5～4，y相对于1个x为0.0001～20。n表示由[MLx]构成的结构单元的重复数，n为5以上。

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摘要：本公开提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的实施例提供一种混合式存储器和混合式存储器制造方法，其包括在单个衬底上的易失性存储器和非易失性存储器，以提高半导体器件的运行速度并降低制造成本。一种混合式存储器包括：衬底；非易失性存储器，其包括在衬底上的交替叠层，在该交替叠层中多个绝缘层和多个水平字线交替地层叠；以及易失性存储器，其包括电容器，该电容器穿通交替叠层。

用于铁电电容器的碳电极-202111410140.2
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申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/105
摘要：具有与铁电绝缘体接触的碳基电极层的电容器。绝缘体可以是钙钛矿氧化物。碳基电极的低反应性可以提高铁电电容器的稳定性。碳基电极层可以主要是碳并且具有低电阻率。碳基电极层可以是电极的唯一层，或者它可以是绝缘体和另一电极层之间的阻挡层。电容器的两个电极可以包括碳基电极层，或者碳基电极层可以仅包括在一个电极中。

磁记录阵列和储备池元件-202080075225.7
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申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本实施方式的磁记录阵列(200)包括：多个自旋元件(100)，其各自具有配线(20)和层叠于所述配线上的包含第1铁磁性层(1)的层叠体(10)，且呈矩阵状排列；多个写入配线(Wp1‑Wpn)，其与所述多个自旋元件各自的所述配线的第1端连接；多个读取配线(Rp1‑Rpn)，其与所述多个自旋元件各自的所述层叠体连接；以及多个共用配线(Cm1‑Cmn)，其与属于相同列的各个自旋元件的所述配线的第2端连接，所述共用配线的电阻比所述写入配线或所述读取配线低。

半导体电路和半导体电路系统-202080059864.4
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申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/105
摘要：根据本公开的半导体电路包括：第一电路，能够将第一节点处的电压的反相电压施加到第二节点；第二电路，能够将第二节点处的电压的反相电压施加到第一节点；第一存储元件，包括第一端子、第二端子和第三端子，并且能够依据在第二端子与第三端子之间流动的电流的方向设定第一端子与第二和第三端子之间的电阻状态；第一晶体管，包括连接到第一节点的漏极和连接到第一存储元件的第一端子的源极；第二晶体管，包括连接到第一节点或第二节点的栅极以及连接到第一存储元件的第二端子的漏极；以及第三晶体管，包括连接到第一节点或第二节点的栅极以及连接到第一存储元件的第二端子的漏极。

垂直型存储器及制备方法-202110587059.5
发明人：刘金营 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本发明提供一种垂直型存储器及制备方法，通过在第一逻辑单元及第二逻辑单元之间形成存储单元，可制备具有2T1C的单元结构的垂直型存储器，从而可缩小垂直型存储器的尺寸；在制备的2T1C的单元结构中，当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储电子，第二逻辑单元向存储结构的第一极板存储空穴，即可定义为1、当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储空穴，第二逻辑单元向存储结构的第一极板存储电子，即可定义为‑1、当两者都不存储时，则可定义为0，从而通过2T1C的单元结构可实现存储1.5bit的结构，从而本发明可同时实现垂直型存储器的小型化及多功能应用。

制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法-202080059566.5
发明人： C·帕克;程慷果;谢瑞龙;李忠贤 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/105
摘要：一种包括垂直电阻式存储器单元的半导体结构及其制造方法。所述方法包括：在晶体管漏极接触件上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成第一电介质层；形成穿过所述第一电介质层的单元接触孔；形成穿过所述第一电介质层的接入接触孔并暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层由此形成连接所述单元接触孔的底部开口和所述接入接触孔的底部开口的腔体；在所述单元接触孔中通过原子层沉积形成包括接缝的第二电介质层；在所述空腔内形成底部电极，并且所述底部电极与所述漏极接触件、所述第二电介质层和所述接缝接触；以及在所述第一电介质层之上形成顶部电极，并且所述顶部电极与所述第二电介质层和所述接缝接触。

磁存储装置-202111013850.1
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申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/105
摘要：实施例提供了一种能够同时抑制存储器基元破坏和数据写入错误的磁存储装置。根据一个实施例，一种磁存储装置包括具有第一端和第二端的磁阻元件。第一开关位于第一端和第一布线之间。第二开关位于第二端和第二布线之间。第三开关位于第一端和第三布线之间。第四开关位于第二端和第四布线之间。驱动器连接到第一布线和第二布线，并且被配置为向第一布线提供基于第一端处的电压和第二端处的电压而设定的大小的电流。

磁存储装置及磁存储装置的制造方法-202111003961.4
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摘要：实施方式提供包括特性的不均少的开关元件的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置包括第1导电体、硅氧化物、第2导电体及第1层叠体。硅氧化物位于第1导电体上，包含掺杂剂，包括第1导电体上的第1部分及在第1导电体上与第1部分相邻的第2部分。第2部分比第1部分高，第2部分的掺杂剂的浓度比第1部分的掺杂剂的浓度高。第2导电体位于硅氧化物的第2部分上。第1层叠体位于第2导电体上，包括第1磁性层、第2磁性层及第1磁性层与第2磁性层之间的第1绝缘层。

磁存储装置及磁存储装置的制造方法-202111023374.1
发明人：五十岚太一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/105
摘要：实施方式提供误动作被抑制的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置具备：第1导电体；第1导电体上的非晶质的第2导电体；第2导电体上的第1元件，第1元件具备导入有掺杂剂的氧化硅；第1元件上的第3导电体；及第3导电体上的第1层叠体。第1层叠体包括第1磁性层、第2磁性层及第1磁性层与第2磁性层之间的第1绝缘层。

开关器件和存储装置-201680017522.X
发明人：大场和博;清宏彰;野野口诚二;曾根威之;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/105
摘要：根据本技术的一个实施例的开关器件包括第一电极、布置成面对第一电极的第二电极以及被布置在第一电极与第二电极之间的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。对于开关层，第一区域靠近第一电极，第二区域比第一区域更靠近第二电极，这两个区域的硫族元素的组成比或硫族元素的类型彼此不同。

开关器件和存储装置-201680017534.2
发明人：清宏彰;大场和博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/105
摘要：根据本技术的一个实施例的开关器件包括：第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间布置的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。开关器件还包括与开关层的表面的至少一部分接触并且抑制氧向开关层中扩散的扩散抑制层。

存储器及其制作方法-202010802218.4
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本发明实施例提供一种存储器及其制作方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括隔离结构和位于相邻所述隔离结构之间的有源区；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述隔离结构内的第一凹槽内，所述第一栅极结构包括填充于所述第一凹槽的第一栅极，所述第一栅极包括填充于所述第一凹槽底部的第一导电层以及位于所述第一导电层上方的第二导电层，所述第一导电层的材料的功函数大于所述第二导电层的材料的功函数；第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述有源区的第二凹槽内，所述第二栅极结构包括填充于所述第二凹槽的第二栅极，所述第二栅极的材料与所述第二导电层的材料相同。本发明有利于减少位于隔离结构两侧的有源区之间的信号干扰。

存储器和存储器的制备方法-202010784622.3
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申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本发明实施例提供一种存储器和存储器的制备方法，存储器包括位于基底上的第一鳍部及第二鳍部；覆盖第一鳍部顶部以及被隔离结构暴露出的侧壁表面的介质层；位于介质层表面的功函数层，且在平行于所述第一鳍部及所述第二鳍部排列方向上，相邻第一鳍部相对的侧壁上的功函数层具有第一厚度，第一鳍部朝向第二鳍部的侧壁上的功函数层具有第二厚度，且第一厚度大于第二厚度。本发明通过增加两个第一鳍部相对的侧壁上的功函数层的厚度，使第一鳍部相对的区域内的阈值电压大于第一鳍部朝向第二鳍部的区域内的阈值电压，使得两个第一鳍部之间沟道区的可扩散电子数目更少，从而降低相邻第一鳍部间的信号干扰，提高存储器的稳定性。

半导体器件及其制作方法-202010692526.6
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摘要：本发明涉及存储技术领域，提出一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底、多个导电体。多个导电体用于形成电容结构的第一电极，且多个导电体行列分布于衬底的一侧。每个导电体包括：柱形主体、多个环形凸起部。所述柱形主体的轴向与所述衬底相交；所述环形凸起部环绕所述柱形主体的周向设置，且所述环形凸起部的凸起方向与所述衬底平行，多个所述环形凸起部沿所述柱形主体的轴向间隔分布；其中，在行列方向上相邻所述导电体的环形凸起部在与所述衬底垂直方向上交错设置。该半导体器件可以在较小的空间内集成较多的电容结构，或在相同尺寸相同电容结构个数情况下集成电容值较大的电容结构。

磁记录阵列、神经形态器件及磁记录阵列的控制方法-202080004561.2
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本实施方式的磁记录阵列(200)具有多个自旋元件(100)和第一参考元件(101)以及第二参考元件(102)，多个自旋元件、第一参考元件及第二参考元件分别具有配线(20‑24)和层叠于所述配线的包含第一铁磁性层(1)的层叠体(10)，所述第一参考元件的配线(21、23)的电阻比各个自旋元件的配线(20)的电阻高，所述第二参考元件的配线的电阻比各个自旋元件的配线的电阻高，所述第二参考元件的配线(22、24)的电阻比各个自旋元件的配线的电阻低。

场效应管以及制造方法-201780003245.1
发明人：肖祥;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/105
摘要：一种场效应管以及制造方法，属于电子技术领域。场效应管包括：衬底层(201)；设置于衬底层(201)之上的第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)；覆盖于衬底层(201)和第一背栅电极(202)和第二背栅电极(203)之上的背栅绝缘层(204)；覆盖于背栅绝缘层(204)之上的半导体层(205)；覆盖于半导体层(205)之上的顶栅绝缘层(206)；设置于背栅绝缘层(204)之上的漏电极(207)和源电极(208)，漏电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第一边缘，源电极(207)的一部分覆盖于半导体层(205)的第二边缘；设置于顶栅绝缘层(206)之上的第一顶栅电极(209)和第二顶栅电极(210)，其中，漏电极(207)和第二顶栅电极(210)电连接。这种场效应管具有高峰值电流，芯片占用面积小，制造工艺复杂度低，可实现大面积、低成本制造。

存储设备和存储系统-201680032405.0
发明人：寺田晴彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/105
摘要：提供一种具有适合于更高集成化的结构的同时确保制造的容易性的存储设备。所述存储设备具备沿着第一方向、从第一个存储单元部件到第n个存储单元部件相继层叠在基板上的n个存储单元部件。所述n个存储单元部件中每一个都包括：一个或多个第一电极；都被设置成与第一电极相交的多个第二电极；布置在第一电极和多个第二电极中的每一个的相交点的多个存储单元，所述多个存储单元分别连接到第一电极和第二电极两者；和连接到第一电极，形成一个或多个连接部分的一条或多条引出线。第(m+1)个存储单元部件中的至少一个连接部分被布置成在第一方向上、与在第m个存储单元部件中被多个存储单元围绕的第m个存储单元区域重叠。

包含晶体管的设备和相关方法、存储器装置和电子系统-202110483620.5
发明人：杨立涛;S·普卢居尔塔;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本申请涉及包含晶体管的设备和相关方法、存储器装置和电子系统。该设备包括第一导电结构和与第一导电结构电连通的至少一个晶体管。该至少一个晶体管包括耦合到第一导电结构的下导电触点和在下导电触点上的分裂体沟道。分裂体沟道包括第一半导体柱和与第一半导体柱水平相邻的第二半导体柱。该至少一个晶体管还包括水平插入在分裂体沟道的第一半导体柱和第二半导体柱之间的栅极结构，以及垂直覆盖栅极结构并耦合到分裂体沟道的上导电触点。栅极结构的部分围绕第一半导体柱和第二半导体柱的每一个的三个侧面。

磁记录阵列-202080007489.9
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/105
摘要：本实施方式的磁记录阵列(200)具备多个自旋元件(100)和与相邻的第一自旋元件和第二自旋元件连接的共用晶体管(STr)，所述多个自旋元件分别具有配线(20)和层叠于所述配线的包含第一铁磁性层(1)的层叠体(10)，所述共用晶体管具有第一栅极(G1)、第二栅极(G2)、第一区域(A1)、第二区域(A2)和第三区域(A3)，在从所述层叠体的层叠方向俯视时，所述第一区域被所述第一栅极和所述第二栅极夹着，所述第二区域和所述第一区域夹着所述第一栅极，所述第三区域和所述第一区域夹着所述第二栅极，所述第二区域和第三区域中的一者与所述第一自旋元件连接，另一者与所述第二自旋元件连接。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]存储器装置及其制造方法在审

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