[发明专利]一种增强型氮化物场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010087726.9 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN113257912A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市江苏省苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管,其中器件的栅极凹槽结构贯穿GaN缓冲层和GaN沟道层，使漏极与源极在GaN缓冲层与GaN沟道层电气隔离，有效抑制氮化物场效应晶体管电流崩塌；本发明中一种增强型氮化物场效应晶体管还包括氮化物材料通过激光剥离和衬底转移工艺技术，键合至高导热绝缘基板上，提升氮化物场效应晶体管热稳定性。优点：通过优化工艺流程和器件设计结构，有效抑制氮化物场效应晶体管电流崩塌和提升氮化物场效应晶体管热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶界半导体有限公司，未经苏州晶界半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010087726.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种混合型增强现实人机交互系统
- 下一篇：一种地图构建方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
