[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202010086446.6 | 申请日: | 2020-02-11 |
公开(公告)号: | CN111952276A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 佐佐木雄一朗;林圣根;姜泌圭;金元洪;吴承河;河龙湖;玄尚镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/538;H01L29/06;H01L27/088 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括:具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层;在第一表面上的有源图案,所述有源图案包括源极/漏极区域;电连接到所述源极/漏极区域的电力轨;以及在所述第二表面上的电力输送网络,所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂,并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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