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[发明专利]制造半导体装置的方法以及半导体装置-CN201810288543.6有效
发明人：崔庆寅;金泰贤;申洪湜;金泰坤;朴栽永;佐佐木雄一朗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请提供了一种制造半导体装置的方法以及半导体装置。该制造半导体装置的方法包括：将衬底的上部图案化，以形成第一有源图案，所述衬底包括具有第一晶格常数的半导体元素；在第一有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第一源极/漏极区；为第一源极/漏极区掺杂镓；在掺有镓的第一源极/漏极区上执行退火工艺；以及形成连接至第一源极/漏极区的第一接触图案。第一源极/漏极区包括具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体元素。
制造半导体装置方法以及

[发明专利]三维半导体器件-CN202010359712.8在审
发明人：吴承河;姜泌圭;金国桓;金元洪;佐佐木雄一朗;李相遇;林圣根;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。
三维半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202010176255.9在审
发明人：金元洪;姜泌圭;佐佐木雄一朗;林圣根;河龙湖;玄尚镇;金国桓;吴承河 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域；位于所述多个鳍型有源区上的源极/漏极区；第一导电插塞，位于所述源极/漏极区上并电连接到所述源极/漏极区；掩埋轨道，穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及电力输送结构，布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触并电连接到所述掩埋轨道。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010086446.6在审
发明人： 佐佐木雄一朗;林圣根;姜泌圭;金元洪;吴承河;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。
半导体器件

[发明专利]等离子体处理设备-CN201210238455.8无效
发明人：奥村智洋;伊藤裕之;佐佐木雄一朗;冈下胜己;水野文二;中山一郎;置田尚吾;永井久雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
等离子体处理设备

[发明专利]半导体装置-CN201210249289.1有效
发明人： 佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;金田久隆;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200980153637.1无效
发明人： 佐佐木雄一朗;冈下胜己;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底(11)上的鳍式半导体区域(13)的两侧部设置有延伸区域(17)。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域(13)并与延伸区域(17)相邻的栅电极(15)。在与栅电极(15)相邻的区域的鳍式半导体区域(13)的上部形成有具有比延伸区域(17)高的电阻率的电阻区域(37)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880002383.9有效
发明人： 佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;伊藤裕之;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a-13d)。在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880000598.7有效
发明人： 佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;金田久隆;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]等离子体掺杂方法以及装置-CN200780001172.9无效
发明人：奥村智洋;佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-10-02 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。
等离子体掺杂方法以及装置

[发明专利]等离子体掺杂方法-CN200710127002.7无效
发明人：奥村智洋;中山一郎;水野文二;佐佐木雄一朗 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
等离子体掺杂方法

[发明专利]等离子体掺杂装置-CN200710127005.0无效
发明人：奥村智洋;中山一郎;水野文二;佐佐木雄一朗 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。
等离子体掺杂装置

[发明专利]等离子体处理设备、等离子体处理方法、其中使用的介质窗口以及该介质窗口的制造方法-CN200680032251.1无效
发明人：奥村智洋;伊藤裕之;佐佐木雄一朗;冈下胜己;水野文二;中山一郎;置田尚吾;永井久雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2，16)引入真空容器(1)时，该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8)，由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15，19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15，19)引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
等离子体处理设备方法其中使用介质窗口以及制造

[发明专利]等离子体掺入方法和等离子体掺入设备-CN200680012508.7无效
发明人： 佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二;奥村智洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
等离子体掺入方法设备

[发明专利]等离子体处理方法和系统-CN200680011123.9无效
发明人：奥村智洋;佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二;金成国;中山一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：提出能够精确监控进入样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。当从气体供应单元(2)引入预定字体时，通过涡轮高真空泵(3)通过出口(11)排除真空容器(1)，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)中保持预定压力级。通过从等离子体源的高频电源(5)向在介电窗(7)附近提供的线圈(8)供应高频功率，来生成感应耦合等离子体。提供用于向样品电极(6)供应高频功率的样品电极的高频电源(10)，且在样品电极的高频电源(10)和样品电极(6)之间提供样品电极的匹配电路(13)和高频传感器(14)。从而能够使用高频传感器(14)和算术单元(15)来精确地监控进入样品表面的离子电流。
等离子体处理方法系统

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