[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010071718.5 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113224157B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有侧墙结构；位于基底上的介质层、以及位于所述介质层内的开口，且所述开口暴露出侧墙结构的侧壁表面，所述开口包括：第一区和位于第一区上的第二区，所述开口的第一区的侧壁和所述开口的底部之间具有第一夹角；位于所述开口的第一区内的过渡层，且所述过渡层的材料和侧墙结构的材料不同。所述半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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