[发明专利]一种碳化硅沟槽IGBT结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010002975.3 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111146274B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王颖;苏芳文;包梦恬;于成浩;曹菲;李兴冀;杨剑群;吕钢 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅沟槽IGBT结构，包括N‑漂移区、N‑型缓冲层、P型阱区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+沟槽集电极区、沟槽集电极、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加沟槽集电极，并且在沟槽集电极上方加入P+沟槽集电极，由于新器件P+沟槽集电极区上方没有N+缓冲层，增强了正向导通时的空穴注入效率，使得新器件开启电压降低；新器件关断时，沟槽集电极提供了低电阻通道，加快了电子的抽取，进一步降低了关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 igbt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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