[实用新型]一种鳍型半导体器件有效
| 申请号： | 201922167972.0 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN213340383U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 唐世沅 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 柳岩 |
| 地址： | 421000 湖南省衡阳市珠晖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种鳍型半导体器件。该鳍型半导体器件包括：衬底和第一鳍片部，所述第一鳍片部立设于所述衬底上，所述第一鳍片部具有根部区和硅锗区，所述根部区与所述衬底连接，所述硅锗区位于所述根部区上方，所述硅锗区中含有锗元素；浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构形成在所述衬底上，所述浅沟道隔离结构位于所述第一鳍片部的宽度方向的两侧，位于所述浅沟道隔离结构上方的所述硅锗区的高度范围为45nm‑60nm；栅极结构，所述栅极结构跨设在所述硅锗区的中间区域上，所述栅极结构覆盖在至少一部分所述硅锗区和所述浅沟道隔离结构；所述硅锗区被所述栅极结构覆盖的区域形成沟道区，所述沟道区的锗元素的含量为20％‑35％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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