[发明专利]一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911340514.0 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111010137A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 王忠浩 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了空气隙型薄膜体声波谐振器，包括从下至上依次分布的外延衬底、压电层、及钝化层，压电层的上表面与下表面分别相对相连接有顶电极与底电极；外延衬底的顶部设有第一硅腔，底电极与第一硅腔形成空气隙结构。还公开了其制备方法，选用硅衬底作为外延衬底，对外延衬底进行清洗，去除表面杂物；涂胶光刻外延衬底，生成晶圆片，通过刻蚀晶圆片制备第一硅腔；在第一硅腔依次交替表面沉积光刻胶、磷硅玻璃；在磷硅玻璃表面沉积压电薄膜；将晶圆片表面抛光；在晶圆片表面依次沉积预设厚度的底电极、压电层、顶电极及钝化层，生成谐振器；将谐振器浸泡于预设的腐蚀溶液，并去除谐振器的残留液体。本发明可缩短制备时间且提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河源市众拓光电科技有限公司，未经河源市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911340514.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种提高Q值的FBAR谐振器-202310720317.1
- 张晓东;孙晓红 - 苏州科技大学
- 2023-06-19 - 2023-10-27 - H03H9/17
- 本发明提供的一种提高Q值的FBAR谐振器，所述谐振器包括：衬底、布拉格反射层、两个电极和压电薄膜；所述衬底的上表面铺设有所述布拉格反射层；所述布拉格反射层的上表面与一个电极连接；所述一个电极与另一个电极之间设置有压电薄膜层。将电极形状设计为与声波速度快慢变化一致的梯度，声波速度在不同方向的差异，电极中心距边缘的距离也呈现差异，并保证声波到达边缘的时间相同，从而形成有效反射，提高Q值。
- 半导体器件及其制造方法-202310691806.9
- 万星星;王晋;高晋文;郭佳惠 - 润芯感知科技（南昌）有限公司
- 2023-06-13 - 2023-10-27 - H03H9/17
- 本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和衬底基板之间；空腔位于压电层与阻挡结构之间以及第一电极与阻挡结构之间；支撑层在第一方向上位于阻挡结构的部分与压电层之间，且在平行于衬底基板的主表面的水平方向上位于阻挡结构的远离空腔的一侧，其中第一电极自空腔延伸至阻挡结构中，且第一电极与支撑层被阻挡结构分隔开。本公开的半导体器件可提高器件的结构稳定性和可靠性以及产品良率。
- 声波谐振器-201910974183.X
- 李泰京;金锺范;安民宰;孙晋淑 - 三星电机株式会社
- 2019-10-14 - 2023-10-27 - H03H9/17
- 本公开提供了一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，设置在所述基板上，并且包括第一电极、压电层和第二电极；保护层，设置在所述谐振部的上部上；以及疏水层，形成在所述保护层上，并且所述保护层包括堆叠在所述第二电极上的第一保护层和堆叠在所述第一保护层上的第二保护层，其中，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度。
- 体声波谐振器模块-201911162917.0
- 朴昇旭;李泰京;罗圣勳;李在昌;郑载贤 - 三星电机株式会社
- 2019-11-25 - 2023-10-27 - H03H9/17
- 本发明提供一种体声波谐振器模块，所述体声波谐振器模块包括：模块基板；体声波谐振器，利用连接端子连接到所述模块基板，并且设置为与所述模块基板间隔开；以及密封部，对所述体声波谐振器进行密封。所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部。在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。
- 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备-201911197893.2
- 庞慰;杨清瑞;张孟伦 - 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
- 2019-11-29 - 2023-10-27 - H03H9/17
- 本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，具有底电极引脚；顶电极，具有顶电极引脚；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：由底电极、顶电极与压电层组成的三明治结构与基底上表面之间存在第一间隙，使得谐振器的主体谐振结构与基底无接触。谐振器还可包括保护结构层，具有第一部分与第二部分，第一部分连接到基底的上表面，第二部分的外端与第一部分的内端连接，第二部分沿着压电层延伸到压电层上方且第二部分的至少一部分与压电层在厚度方向上形成第二间隙，且第二部分在横向方向上与顶电极间隔开。本发明还公开了一种体声波谐振器的制造方法，一种具有上述谐振器的滤波器以及具有该滤波器或谐振器的电子设备。
- 声波谐振器-201911255335.7
- 金泰润;金锺云;丁大勳;李文喆 - 三星电机株式会社
- 2019-12-10 - 2023-10-24 - H03H9/17
- 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：谐振单元，包括压电层、设置在所述压电层的下侧上的第一电极和设置在所述压电层的上侧上的第二电极；基板，设置在所述谐振单元的下方；支撑单元，在所述基板与所述谐振单元之间形成腔；以及柱，延伸穿过所述腔，并将所述谐振单元连接到所述基板。所述谐振单元还包括设置在所述柱的上方的第一插入层。
- 共振器及电路元件-202310861068.8
- 李冠兴;纪光庭 - 环旭电子股份有限公司
- 2023-07-13 - 2023-10-20 - H03H9/17
- 一种共振器，设置于电路板并包含第一耦合单元、第二耦合单元、第一共振单元及至少一接地平面。第一共振单元形成环形，第一耦合单元、第二耦合单元及第一共振单元中各者包含至少一信号通孔且位于至少二导电层，第一耦合单元及第二耦合单元耦合第一共振单元。所述至少一接地平面位于电路板的另一导电层，所述至少一接地平面为第一耦合单元、第二耦合单元及第一共振单元的参考地。借此，可有效降低共振器的布局面积。本公开还涉及一种电路元件。
- 一种体声波谐振器、声学滤波器及电子设备-202280006025.5
- 张本锋;黄裕霖;李昕熠;高宗智;侯航天 - 华为技术有限公司
- 2022-02-18 - 2023-10-20 - H03H9/17
- 本申请的实施例提供一种体声波谐振器、声学滤波器及电子设备，涉及半导体技术领域，可以提升声学滤波器的性能。该体声波谐振器包括压电材料层、叉指换能器和介质层；叉指换能器设置于压电材料层上，叉指换能器包括相对设置的第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指和多个第二电极指，多个第一电极指沿第一汇流条延伸方向，依次从第一汇流条向第二汇流条突出；多个第二电极指沿第二汇流条延伸方向，依次从第二汇流条向第一汇流条突出；其中，多个第一电极指和多个第二电极指在第一汇流条和第二汇流条之间依次交错排布；介质层覆盖压电材料层以及叉指换能器，介质层位于至少一对相邻的第一电极指和第二电极指之间的部分的厚度有高低起伏。
- 具有氧化物条和虚设指状物的横向激发薄膜体声学谐振器-202310395447.2
- 约翰·P·库拉基斯 - 株式会社村田制作所
- 2023-04-13 - 2023-10-20 - H03H9/17
- 一种声学谐振器，包括衬底、由衬底支撑的压电板和膜片。该谐振器还包括叉指换能器(IDT)，该IDT具有分别从第一母线和第二母线延伸的交织的IDT指状物。该交织的IDT指状物的重叠部分限定了声学谐振器的孔。该谐振器还包括一个或多个介电条，该一个或多个介电条中的每个介电条与IDT指状物的至少一部分重叠，并延伸到孔的边缘与第一母线或第二母线中的对应母线之间的间隙中。该谐振器还包括一个或多个虚设指状物，该虚设指状物中的每个虚设指状物在相邻的IDT指状物之间的位置处从第一母线或第二母线中的一条母线延伸，并朝向一个或多个介电条中的一个介电条延伸到间隙中。
- 一种具有对称式谐振振子结构的微机械谐振器及调节方法-202310517385.8
- 吴国强;华兆敏;肖宇豪;朱科文;韩金钊;李灿 - 武汉大学
- 2023-05-06 - 2023-10-20 - H03H9/17
- 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种具有对称式谐振振子结构的微机械谐振器及调节方法，该微机械谐振器包括衬底硅片、谐振器结构；衬底硅片正面具有空腔结构；谐振器结构包含谐振振子、支撑梁结构和锚点结构；谐振振子通过支撑梁结构与锚点结构连接，锚点结构与衬底硅片连接，且谐振振子、支撑梁结构和锚点结构均悬空于衬底空腔上方；衬底硅片正面的空腔结构位置分别与谐振器谐振振子、支撑梁结构和锚点结构相对应；谐振振子位于支撑梁两侧，以支撑梁为中心，形成轴对称式的一组或多组。该微机械谐振器优化了微机械谐振器的结构，减小了微机械谐振器的锚点损耗，提高了器件的Q值；同时通过设计电极布局实现可调的激励和检测方式。
- 高次谐波体声波谐振器及游标频移式生物传感器-202310848932.0
- 程晶婕;邵磊;张文明 - 上海交通大学
- 2023-07-11 - 2023-10-17 - H03H9/17
- 本发明提供了一种高次谐波体声波谐振器及游标频移式生物传感器，涉及生物传感领域，包括自上向下依次设置的抗体修饰生物敏感层、顶电极、压电层、底电极、绝缘层以及衬底；所述顶电极、压电层以及底电极三者构成三明治式结构，用于发射声波信号；所述衬底用于存储声波。通过使用特异性差分超高频游标频移式生物传感器基于游标卡尺的测量原理，对分子质量带来的微小频偏进行放大，降低操作难度的同时，提高了测量的灵敏度和精度。
- 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-202310896932.8
- 缪建民;杨应田;张瑞珍;王志宏 - 迈感微电子（上海）有限公司
- 2023-07-20 - 2023-10-10 - H03H9/17
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，薄膜体声波谐振器包括：第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第一支撑部和第一悬浮部，第一悬浮部包括第一凹陷部、第一凸出部和第二凹陷部，第一支撑层位于第一边缘区的部分包括第二凸出部，第一支撑部与衬底接触，第一凹陷部、第一凸出部、第二凹陷部和第二凸出部与衬底不接触，衬底邻近第一支撑层的第一表面具有空腔。或者第一支撑层位于第二边缘区的部分包括第二支撑部，第二支撑部与衬底接触，第一支撑层还包括位于第二支撑部和第一边缘区之间的第二悬浮部，第二悬浮部还包括至少一个第三凸出部，第一边缘区包括第四凸出部，本发明可以改善横向波能量向外传播泄露的问题，提高谐振器的Q值。
- 红外探测薄膜异质谐振器、制备及红外探测阵列-202310818767.4
- 陈俊帆;邓光伟;牛晓滨;周强;宋海智;王浟 - 电子科技大学
- 2023-07-05 - 2023-10-10 - H03H9/17
- 本发明提供一种红外探测薄膜异质谐振器、制备及红外探测阵列，其目的在于通过微纳加工技术制备红外探测薄膜异质谐振器的红外探测阵列，二维红外吸收材料层将自身所吸收的外部红外辐射转变成热量，从而引起红外探测薄膜异质谐振器的谐振频率发生偏移，通过检测红外探测薄膜异质谐振器实时的频率偏移，便可实现红外探测。本发明利用谐振器的高品质因子和快速响应特性实现高灵敏红外探测，具有结构简单、尺寸小、使用成本低、易大规模扩展的优势，为红外探测提供新的设计思路。
- 一种阻抗比值不同的拆分式谐振器-201910067015.2
- 张孟伦;庞慰;孙晨 - 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
- 2019-01-24 - 2023-10-03 - H03H9/17
- 本发明公开了一种拆分式谐振器，所述拆分式谐振器是由多个子谐振器构成的谐振器群；所述谐振器群中，包含两个以上并联支路，各个并联支路中包含两个以上串联的子谐振器；相邻的所述并联支路中的串联连接点之间具有桥接的单个子谐振器或具有桥接的子谐振器群。
- 弹性波装置-202010061671.4
- 永友翔 - 株式会社村田制作所
- 2020-01-15 - 2023-09-26 - H03H9/17
- 提供一种弹性波装置，能够抑制由反射镜模式引起的寄生。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；设置在支承基板(2)上的声反射膜(7)；设置在声反射膜(7)上且具有第一主面(4a)和第二主面(4b)的压电体层(4)；设置在压电体层(4)的第一主面(4a)上及第二主面(4b)上的第一平板电极(5)及第二平板电极(6)(激励电极)。声反射膜(7)具有交替层叠的高声阻抗层和低声阻抗层。高声阻抗层及低声阻抗层中的至少一层是纵波声阻抗及横波声阻抗中的至少一方实质上相同的第一材料层(12A)及第二材料层(12B)的层叠体。在第一材料层(12A)及第二材料层(12B)之间的界面(12c)设置有凹凸。
- 一种高频高耦合系数压电薄膜体声波谐振器-202010632731.3
- 鲍景富;吴兆辉;梁起;李亚伟 - 电子科技大学
- 2020-07-02 - 2023-09-22 - H03H9/17
- 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种高频高耦合系数的压电薄膜体声波谐振器，用以克服现有谐振器单元的耦合系数小的缺点；具体包括：硅基衬底，以及硅基衬底上依次层叠设置的底层质量加载薄膜、压电薄膜及叉指换能器，叉指换能器的相邻电极指条之间均设置有顶层栅条状质量块，顶层栅条状质量块的长边与电极指条平行、短边与电极指条的悬空端平齐。本发明通过质量加载结构有效提高谐振器的耦合系数和Q值，减少杂散损耗，使之适用于做成宽带滤波器；同时，由于采用加载质量块结构，提升了谐振体的散热性能；另外，顶层质量块的长度能够匹配电极指条采用长度渐变以及类似伪电极的结构，进而有效抑制谐振器的横向模态。
- 一种高频声波谐振器及其制备方法-202310678398.3
- 欧欣;吴进波;张师斌;张丽萍;姚虎林 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2023-06-08 - 2023-09-19 - H03H9/17
- 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
- 体声波装置-202280011217.5
- 木村哲也;中村健太郎 - 株式会社村田制作所
- 2022-03-17 - 2023-09-15 - H03H9/17
- 本发明提供一种不易产生特性的劣化且使用了含钪氮化铝膜的体声波装置。一种体声波装置(1)，其中，在基板(2)上设置有含钪氮化铝膜(3)，含钪氮化铝膜(3)设置在第1电极(4)上，在含钪氮化铝膜(3)上设置有第2电极(5)，第1电极(4)和第2电极(5)隔着含钪氮化铝膜(3)相互重叠，在含钪氮化铝膜(3)中，在沿着厚度方向位于第1电极(4)侧的第1区域(11)、位于第2电极(5)侧的第3区域(13)、作为第1区域(11)与第3区域(13)之间的厚度方向中央区域的第2区域(12)中，第1区域(11)中的定向比低于第2区域(12)中的定向比，或者第3区域(13)中的定向比高于第2区域(12)中的定向比。
- 薄膜体声波谐振器和滤波器-201910328576.3
- 李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2019-04-23 - 2023-09-12 - H03H9/17
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，所述压电层包括掺杂多种稀土元素的压电材料，用以改进压电层的压电特性，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
- 薄膜体声波谐振振荡器和气体感测系统及其操作方法-201710865069.4
- 申殷昔;安世罗;朴宰琎;李升勋;金度亨;姜敏瑩 - 三星电子株式会社
- 2017-09-22 - 2023-09-12 - H03H9/17
- 提供薄膜体声波谐振振荡器和气体感测系统及其操作方法。可以包括在气体感测系统中的谐振振荡器可以包括可以通过导线电连接到外部谐振器的振荡器。振荡器可以产生具有与振荡路径中的外部谐振器的谐振频率对应的频率的振荡信号。振荡路径上的虚谐振去除电路可以从振荡路径去除由导线引起的虚谐振。气体感测系统可以包括：振荡器；谐振器，包括被配置为感测气体的传感器；频率计数逻辑，接收振荡信号和参考时钟信号，根据参考时钟信号的逻辑状态对振荡信号执行计数操作以产生计数值，并基于计数值产生指示感测气体的气体感测输出。
- 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法-202010018484.8
- 黄河;罗海龙;李伟;齐飞 - 中芯集成电路（宁波）有限公司
- 2020-01-08 - 2023-09-08 - H03H9/17
- 本发明公开了一种用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法，其中复合基板的制造方法包括：提供基底，所述基底包括相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成向所述第二表面凹陷的第一凹槽；提供压电片，所述压电片与所述第一凹槽的形状吻合，通过键合的方式将所述第一凹槽的底面与所述压电片结合；复合基板包括：基底，所述第一基底包括相对的第一表面和第二表面；所述第一表面设有向所述第二表面凹陷的第一凹槽；压电片，所述压电片嵌入于所述第一凹槽中，所述压电片的顶面高于所述第一表面或者与所述第一表面齐平。
- 体声波谐振器、形成方法、滤波器及通信设备-202310699404.3
- 万晨庚 - 北京芯溪半导体科技有限公司
- 2023-06-13 - 2023-09-05 - H03H9/17
- 本发明实施例提供一种体声波谐振器、形成方法、滤波器及通信设备，其中，所述体声波谐振器，包括：第一电极；位于第一电极的上方的压电层，在有效区域内，位于有效区域的边缘处压电层的平面上形成有边界结构，边界结构的平面在沿垂直于压电层的平面的方向上，与有效区域内未形成边界结构的平面形成高度差，且未形成有边界结构的压电层的相对一侧的平面为平面结构；部分覆盖压电层的第二电极。本发明实施例所提供的体声波谐振器，通过在有效区域内在压电层上形成边界结构，使得边界结构的平面和压电层的平面之间具有高度差，改变声波在压电层结构中传播时的能量反射，阻止能量泄露，提升体声波谐振器的品质因数，进而提升体声波谐振器的性能。
- 滤波器及其制作方法、电子设备-202180088327.7
- 胡彬;周普科;高宗智 - 华为技术有限公司
- 2021-03-31 - 2023-09-05 - H03H9/17
- 本申请提供一种滤波器及其制作方法、电子设备，用于提高滤波器的功率，解决目前应用到手机等终端设备的滤波器，由于功率较低不能应用于基站的问题。该滤波器包括：碳化硅衬底、设置于碳化硅衬底一侧的声波反射层，以及设置于声波反射层远离碳化硅衬底一侧的金属电极。金属电极包括底部金属电极和顶部金属电极，且底部金属电极与顶部金属电极之间设置有压电功能层。该滤波器采用碳化硅衬底，碳化硅衬底可以实现更好的散热，具有更好的温度补偿，从而减少温飘，进而提高滤波器的功率，使其能够应用于更高功率的应用场景，如5G中的小基站或者微基站场景。
- 谐振器、滤波器及电子设备-202180089501.X
- 鲍飞鸿;刘鹏;李起;张强 - 华为技术有限公司
- 2021-03-29 - 2023-09-01 - H03H9/17
- 本申请提供了一种谐振器、滤波器及电子设备，涉及谐振器领域，能够提高谐振器的品质因数；该谐振器包括压电基板、设置在压电基板上的叉指换能器；多个叉指电极的并列设置方向为第一方向；压电基板在沿第一方向上、位于多个叉指电极的至少一侧设置有侧边沟槽。
- 一种滤波器及其制备方法-202310934361.2
- 王友良;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
- 2023-07-28 - 2023-09-01 - H03H9/17
- 本发明提供了一种滤波器及其制备方法，属于滤波器技术领域。本发明提供了一种滤波器，包括依次层叠设置的基底、空腔填充层、下电极、压电层和上电极，所述空腔填充层相对下电极内缩，所述内缩形成的空间设置支撑层，所述支撑层的上表面与下电极的上表面的水平高度相同，所述空腔填充层与下电极之间存在空腔。本发明在BE层下方做支撑层，支撑层的上表面与下电极的上表面的水平高度相同，PZ生长在平滑的表面，保证PZ的质量，不会因晶向不一致、应力问题产生缺陷，无需BE刻蚀形成斜坡，降低BE刻蚀难度。且本发明所述空腔填充层与下电极之间存在空腔，谐振区完好，无需打孔，不容易破裂。
- 声波谐振器及其设计方法、制造方法-202211321864.4
- 左成杰;杨凯;林福宏;陶浩然;方纪明 - 中国科学技术大学
- 2022-10-27 - 2023-08-29 - H03H9/17
- 本发明公开了一种声波谐振器，包括：衬底；压电层，压电层包括压电晶体，压电晶体的切向为110°Y切~130°Y切或者10°Z切~30°Z切，压电层适用于在横向电场的作用下激发出第三阶反对称模态的声波；金属电极层，包括由多个正负金属电极交替排布构成的金属电极阵列，金属电极阵列形成横向电场，通过旋转欧拉角将金属电极层形成在压电层上，使横向电场的方向与压电晶体在全局坐标系下的+X轴方向成‑30°~+30°，+X轴方向表示初始声波的传播方向；其中，压电层在横向电场的作用下激发出第三阶反对称模态的声波，使声波谐振器在谐振频率大于20GHz的超高频段实现大于7%的机电耦合系数。
- 体声波谐振器-201810455217.X
- 申济湜;金德焕;金哲秀;朴浩洙;孙尚郁;宋寅相;李文喆;崔婧 - 三星电子株式会社
- 2012-06-04 - 2023-08-25 - H03H9/17
- 提供了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基底；空气空腔，设置在第一电极之下；体声波谐振单元，设置在空气空腔之上，并且包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的压电层；第一反射层，设置在第二反射层与第二电极之间；第二反射层，设置在第一反射层与空气空腔之间，其中，第二反射层具有与第一反射层不同的声阻抗，其中，第一反射层包括用于补偿体声波谐振单元的频率温度系数TCF的至少一种材料，使得所述第一反射层包括：材料，被构造为在反射层中具有设定的较低的声阻抗特性；材料，被构造为提供被设置为将体声波谐振单元的TCF补偿为近似为零的设置的TCF补偿特性。
- 具有凸面的体声波谐振器及其形成方法-201810661942.2
- 严廷达 - 德州仪器公司
- 2018-06-25 - 2023-08-25 - H03H9/17
- 本发明涉及具有凸面的体声波谐振器及其形成方法。实例BAW谐振器(102)包含：第一电极(112)；压电层(110)，其形成于所述第一电极(112)上，所述压电层(110)具有凸面(116)；及第二电极(120)，其形成于所述凸面(116)上。实例集成电路IC封装(100)包含BAW谐振器(102)，其安置于所述IC封装(100)中，所述BAW谐振器(102)包含具有凸面(116)的压电层(110)。
- 一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺-202010094463.4
- 李林萍;盛荆浩;江舟 - 见闻录（浙江）半导体有限公司
- 2020-02-15 - 2023-08-25 - H03H9/17
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺，通过在布置有牺牲材料层的衬底上布设支撑层以使得支撑层至少覆盖在牺牲材料层的外围的部分上表面，并且支撑层具有开口区域以使得牺牲材料层上表面的剩余部分暴露在外；利用牺牲材料填平支撑层的开口区域；在支撑层和牺牲材料上制作底电极层，底电极层架设在支撑层上；在底电极层上制作压电层和顶电极层；去除全部牺牲材料形成腔体结构。因此大大抑制了薄膜体声波谐振器的寄生电容，可以有效提高器件的机械稳定性，减小膜层的应力变化对器件的谐振性能的影响，可以有效提高谐振器的谐振性能。
- 专利分类
