[发明专利]整合肖特基功率MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201911098280.3 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112864245A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘坚 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整合肖特基功率MOSFET，各MOSFET器件单元结构的沟槽中形成有屏蔽导电材料层和栅极导电材料层；肖特基二极管的形成区域整合在对应的两个沟槽之间；在各MOSFET器件单元结构的形成区域中，沟槽之间的第一外延层表面形成有沟道区和源区；在肖特基二极管的形成区域中，第一外延层的表面未形成沟道区和源区，第一外延层顶部直接通过接触孔连接到源极且接触孔和第一外延层相接触形成肖特基二极管。本发明还公开了一种整合肖特基功率MOSFET的制造方法。本发明能大幅度降低漂移区的导通电阻的同时，缩短器件的反向恢复时间，降低正向导通压降，同时改善器件的导通和开关损耗，大幅度提高器件的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 肖特基 功率 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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