[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911034397.5 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750753B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 宋利娟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成金属材料层；对所述金属材料层进行刻蚀，形成隔离沟槽结构和间隔的金属层；形成第一缓冲氧化层，所述第一缓冲氧化层覆盖所述金属层以及所述隔离沟槽结构的侧壁和底部；形成生长控制层，所述生长控制层覆盖所述第一缓冲氧化层的侧壁；形成填充相邻的所述生长控制层之间区域且覆盖所述第一缓冲氧化层和所述生长控制层的顶部的填充层，所述填充层在所述长控制层表面的沉积速率大于所述填充层在所述第一缓冲氧化层表面的沉积速率，以在位于所述隔离沟槽结构内的所述填充层中形成空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911034397.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种调温阀
- 下一篇：三维钙自乳化泡腾剂组合物及其制剂的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
