[发明专利]一种屏蔽栅功率器件及其制备方法在审
申请号: | 201910971971.3 | 申请日: | 2019-10-14 |
公开(公告)号: | CN112687735A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 王宇澄;张子敏 | 申请(专利权)人: | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 甘东阳 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请属于半导体器件技术领域,提供了一种屏蔽栅功率器件及其制备方法,通过在外延层中的深槽内形成不同高度的第一源极多晶硅和第二源极多晶硅,并在第一源极多晶硅上形成第一绝缘介质层,在第一绝缘介质层两侧形成栅极多晶硅,从而减小栅极多晶硅与源极多晶硅的交叠面积,降低屏蔽栅器件的栅极与源极间的电容,解决了现有的屏蔽栅功率器件存在的开关损耗较高、器件开关速度低等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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