[发明专利]一种自供电阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910867184.4 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110635028A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 韩素婷;吕子玉;周晔;王燕;周黎;邢雪朝 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L41/193;H01L41/45;H01L25/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自供电阻变存储器及其制备方法，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。本发明采用同时具有阻变效应和压电效应的苯丙氨酸二肽分别制备阻变存储器件和压电器件，并将两者串联，利用压电器件产生的电能驱动阻变存储器的开启和关闭，使得阻变存储器件在不需要外加电压的情况下也能实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。同时，本发明采用的阻变层和压电层的材料为苯丙氨酸二肽，生物相容性好且可降解，提高了器件整体的可降解属性。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器件 压电器件 苯丙氨酸 可降解 二肽 制备 串联 生物相容性 阻变存储器 电能驱动 电阻转变 工作功耗 外加电压 压电效应 存储器 压电层 自供电 阻变层 电阻 存储 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种自供电阻变存储器，其特征在于，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910867184.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种基于无铅双钙钛矿的电存储器件及其制备方法-201910996312.5
- 路建美;贺竞辉 - 苏州大学
- 2019-10-18 - 2020-02-14 - H01L45/00
- 本发明公开了一种基于无铅双钙钛矿的电存储器件及其制备方法；将无铅双钙钛矿Cs
- 一种低激活电压阻变器件的制备方法-201810396055.7
- 段伟杰;裴艳丽;饶畅 - 中山大学
- 2018-04-27 - 2020-02-14 - H01L45/00
- 本发明涉及信息存储的技术领域，更具体地，涉及一种低激活电压阻变器件的制备方法。其主要步骤为：1)对导电衬底进行表面清洗和预处理后待用；2)随后，在导电衬底上生长并热处理后得到介质层S1；3)配制介质层S2的前驱体溶液A2，并加入腐蚀剂得到混合前驱体溶液A3；4)将混合前驱体溶液A3旋涂在介质层S1上并热处理得到复合介质层S2(1)/S1；5)在复合介质层S2(1)/S1上蒸镀顶电极，完成制备。本发明易于实现，可重复性好，成本低廉，在较低的温度和常压条件下下即可制备出具有低激活电压的阻变器件。该发明为新型半导体存储器件的设计和性能优化提供了新途径，并且在半导体材料的电学改性、定向调控方面具有重要前景。
- 具有电阻器的存储器单元及其形成-201880042493.1
- F·佩里兹;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利 - 美光科技公司
- 2018-06-12 - 2020-02-14 - H01L45/00
- 本发明包含具有电阻器的存储器单元及其形成方法。一种实例方法包含形成第一导电线，形成第二导电线及在所述第一导电线与所述第二导电线之间形成存储器元件。形成所述存储器元件可包含形成一或多种存储器材料，及形成与所述一或多种存储器材料串联的电阻器。所述电阻器可经配置以在所述存储器元件的状态转变期间减少通过所述存储器元件的电容性放电。
- 制作关联电子材料（CEM）器件-201880043755.6
- 卡洛斯·阿劳霍;约兰塔·克林斯卡;卢西恩·斯弗恩 - ARM有限公司
- 2018-07-03 - 2020-02-14 - H01L45/00
- 本文公开的主题可以涉及关联电子材料(CEM)器件的构造。在特定实施例中，在形成包含过渡金属氧化物(TMO)材料和掺杂剂的层的膜之后，可以使该膜的至少一部分暴露于升高的温度。使该膜的至少一部分暴露于升高的温度可以继续直到膜内的掺杂剂的原子浓度被降低为止，这可以使得所述膜能够作为展示阻抗状态的切换的关联电子材料CEM来操作。
- 一种双模阻变存储器件及其制备方法-201910903216.1
- 王宗巍;蔡一茂;康健;鲍盛誉;凌尧天;喻至臻;陈青钰;鲍霖;吴林东;黄如 - 北京大学
- 2019-09-24 - 2020-02-11 - H01L45/00
- 本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在自选择层上制备顶电极。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
- 一种基于记忆二极管的三态内容寻址存储器-201810458536.6
- 陈冰;张依;赵毅 - 浙江大学
- 2018-05-14 - 2020-02-07 - H01L45/00
- 本发明公开了一种基于记忆二极管的三态内容寻址存储器，包括若干兼具存储数据、擦写数据和比较数据功能的内核单元；内核单元呈阵列排列，以行为单位的所有内核单元连接同一匹配线，以列为单位的所有内核单元连接同一对互补搜寻信号线；内核单元包括两个记忆二极管；第一记忆二极管和第二记忆二极管的顶电极分别接一对互补搜寻信号线，第一记忆二极管和第二记忆二极管的底电极连接同一匹配线。本发明可以大大缩小三态内容寻址存储器芯片尺寸，减小功耗；本发明三态内容寻址存储器结构简单，有效简化制备工艺并且降低制备成本；本发明提出并实现了与标准CMOS工艺兼容性的记忆二极管，适合于当前快速发展的集成电路技术。
- 用于三维非易失性电阻式随机存取存储器的纳米颗粒基体-201710172413.1
- J·C·里德;K·A·鲁宾 - 西部数据技术公司
- 2017-01-26 - 2020-02-07 - H01L45/00
- 本公开主要涉及一种三维NVM RRAM装置中的纳米颗粒基体。该RRAM装置使用可以沉积到高深宽比沟道中的材料，材料具有良好的循环性能，短的擦和写时间，以及与CMOS兼容的写/擦电压。RRAM材料设置于装置的两个电极之间，并包括分布于绝缘基体内的导电纳米颗粒。颗粒低于渗流阈值分布。
- 一种基于MnZn共掺杂BiFeO-201810812947.0
- 杨正春;李珍;臧传来;吴家刚;周宝增;赵金石;张楷亮 - 天津理工大学
- 2018-07-23 - 2020-02-04 - H01L45/00
- 本发明公开一种基于MnZn共掺杂BiFeO
- 用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法-201910906740.4
- 马平;童浩;缪向水 - 华中科技大学
- 2019-09-24 - 2020-02-04 - H01L45/00
- 本发明公开了一种用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：当相变材料层厚度减小到20nm以下时，利用相变材料具有的多个接触界面，所述接触界面包括相变材料层分别与一对电极的第一电极、第二电极以及绝缘介质层的接触界面，通过所述第一电极、第二电极分别选材自不同的电极材料，同时通过所述绝缘介质层选材自不同的绝缘介质材料，在同一结构中主动在多个不同的接触界面上对相变材料的晶化阈值进行调控。由此对相变层进行“界面调控”，改变相变材料的本征晶化阈值，使得界面接触不再是工艺制备过程中需要减弱影响的环节，而是主动对器件性能进行改性的一个部分。
- 一种双向阈值开关选择器件及其制备方法-201910924689.X
- 蔡一茂;康健;王宗巍;凌尧天;喻志臻;陈青钰;鲍霖;吴林东;黄如 - 北京大学
- 2019-09-27 - 2020-02-04 - H01L45/00
- 本发明提供一种双向阈值开关选择器件及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明利用势垒层薄膜和阈值开关特性的薄膜叠加效应，可以实现对选择管器件的电流‑电压特性进行优化，使该器件展现出对称双向阈值开关选择的特性。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现双向阈值开关选择管器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
- 一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法-201810929911.0
- 次会聚;陈奕丞;宋宇浩;刘诚;李东阳;李伟 - 电子科技大学
- 2018-08-15 - 2020-02-04 - H01L45/00
- 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑SiO
- 一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法-201810929912.5
- 宋宇浩;次会聚;陈奕丞;袁余涵;李东阳;李伟 - 电子科技大学
- 2018-08-15 - 2020-02-04 - H01L45/00
- 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调，并且本征a‑TSC陶瓷薄膜的导电性良好且具有近红外波段透明的特性，因此不仅使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作神经突触器件的介质层，并且，可将本征a‑TSC陶瓷薄膜作为顶电极材料与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明神经突触器件。此外，本发明提出神经突触器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。
- 阻变存储器及其制备方法-201911046450.3
- 邹荣;陈昊瑜;王奇伟 - 上海华力微电子有限公司
- 2019-10-30 - 2020-01-31 - H01L45/00
- 本发明提供了一种阻变存储器的制备方法，包括提供一衬底；在所述衬底上形成下电极；在所述下电极以及所述衬底的上表面形成第一阻变材料层；在所述第一阻变材料层的上方形成第二阻变材料层，且所述第二阻变材料层的阻态不同于所述第一阻变材料层的阻态；在所述第二阻变材料层的上方形成上电极。即本发明通过在所述第一阻变材料层和上电极之间增加第二阻变材料层，实现阻变存储器的多种阻态(>2)下的转变，从而实现多值存储，可在存储芯片面积不变的前提下，增大数据存储量。
- 基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元及其制备方法和应用-201810247320.5
- 邱晓燕;江雪;魏明龙 - 西南大学
- 2018-03-23 - 2020-01-31 - H01L45/00
- 本发明公开了一种基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底层、下电极层、阻变层和上电极层，所述阻变层为在钛酸锶薄膜中掺杂Fe元素的Fe/钛酸锶薄膜阻变层，所述Fe的掺杂量为1～10at％。其置位/复位电压小、开/关电流比大，并具有良好的电阻开关稳定性。
- 一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法-201810819082.0
- 马国坤;何玉立;王浩;周潇文;蔡恒梅 - 湖北大学
- 2018-07-24 - 2020-01-31 - H01L45/00
- 本发明公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本发明的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外，本发明的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。
- 一种阻变存储器的机理的研究方法-201810459342.8
- 吕子玉;周晔;韩素婷;王俊杰 - 深圳大学
- 2018-05-15 - 2020-01-24 - H01L45/00
- 本发明公开了一种阻变存储器的机理的研究方法，包括：步骤A、提供阻变存储器中所用的活性层材料，将所述活性层材料在基底上制作成薄膜；步骤B、将AFM调至接触模式下，利用导电原子力探针对所述薄膜的表面进行载流子的注入，形成载流子注入区；步骤C、将AFM原位切换至表面电势测量模式，在保护气氛中对包含所述载流子注入区的区域进行连续的扫描，得到扫描区域的表面电势图，根据所述表面电势图评估载流子在所述活性层材料中的行为能力。本发明是基于原位进行载流子注入、连续扫描，进而评估载流子在活性材料中的注入、迁移和保留的能力，进而可以判断阻变行为是否是由活性层对电荷的俘获/释放所引起，检测结果准确可靠。
- 一种瞬态角蛋白阻变存储器的制备方法-201911013392.4
- 唐孝生;林琪琪;胡伟;张孟;叶怀宇;张国旗 - 深圳第三代半导体研究院
- 2019-10-23 - 2020-01-21 - H01L45/00
- 本发明公开了一种瞬态角蛋白阻变存储器制备方法，在常温下溶解可溶性角蛋白粉，旋涂制成膜后低温退火20‑50min。接着盖上掩膜板，在上面蒸发沉积一层约90‑120nm的Ag电极。制得基于人发角蛋白的瞬态阻变存储器件。本发明还具体公开了制备步骤，并测试了角蛋白材料性能和阻变器件的电学性能，还证明了存储器件具有可重复且可靠的非易失性存储器行为，同时具有多级存储效果。潜在的电阻切换机制归因于Ag导电细丝的形成和断裂。其器件瞬态特性表现为介电层角蛋白薄膜可以在30min内完全溶解在去离子水中。生物瞬态阻变器件可以补充传统阻变器件的局限性，成为一种新型的绿色安全的阻变存储器件，有望应用在生物医学方面。
- 具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法-201610756717.8
- 龙翔澜;金完起;马修·必实凯;林仲汉 - 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
- 2016-08-30 - 2020-01-21 - H01L45/00
- 一种具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法。本发明公开一种交叉点阵列中的存储单元，其具有较佳的耐久性。各存储单元设置于第一导体及第二导体之间，包括开关与相变材料柱体串联。此柱体在接近第二导体的一端具有富碲材料，而在接近第一导体的另一端具有富锑材料，其中电流方向自第一导体流向第二导体。
- RRAM阻变结构下电极的工艺方法-201910914900.X
- 唐优青;张志刚 - 上海华力微电子有限公司
- 2019-09-26 - 2020-01-17 - H01L45/00
- 本发明提供一种RRAM阻变结构下电极的工艺方法，提供形成RRAM阻变结构下电极的通孔结构；在通孔结构中填充TaN,之后研磨通孔结构表面使其平整；在通孔结构上形成TiN层；在该TiN层上形成RRAM阻变结构层。本发明将RRAM阻变结构下电极的通孔中填充TaN，在通孔结构上沉积TiN，将TaN和TiN相互组合得到填充充分良好的通孔，避免了直接使用TaN为电极对整个器件的影响，又同时得到较好填充的TiN且CMP后无碟状现象的下电极。
- 调节接口层形成两端存储器-201611124647.0
- S·纳拉亚南;S·H·赵;L·赵 - 科洛斯巴股份有限公司
- 2016-12-08 - 2020-01-17 - H01L45/00
- 本发明涉及调节接口层形成双端存储器。本发明提供了一种双端存储器器件的制造，构造和/或组装。双端存储器器件可以包括具有含硅层，界面层和活性金属层的有源区。界面层可以在含硅层上生长，并且界面层的生长可以用一氧化二氮等离子体来调节。
- 相变化记忆体结构-201910599812.5
- 吴昭谊 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2019-07-04 - 2020-01-14 - H01L45/00
- 一种相变化记忆体结构包括以下各项。基板。在基板上设置的底部电极。在底部电极上设置的绝缘层，绝缘层具有在绝缘层中定义的通孔。在通孔中设置的加热器。在加热器上设置的相变材料层。在相变材料层上设置的选择器层。在通孔上设置的中间层。此外，金属层设置在选择器层上。金属层宽于相变材料层。
- 一种光控忆阻器及其制备方法-201910818407.8
- 韩素婷;杨嘉钦;周黎;周晔 - 深圳大学
- 2019-08-30 - 2020-01-14 - H01L45/00
- 本发明涉及一种光控忆阻器及其制备方法，所述光控忆阻器包括基底，底电极层，ABX
- 一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法-201710764060.4
- 李颖;赵高扬;朱瑞;张虎 - 西安理工大学
- 2017-08-30 - 2020-01-14 - H01L45/00
- 本发明公开了一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10
- 一种基于铁电异质结的具有多值存储特性的非易失性阻变存储单元及其制备方法-201710230438.2
- 尼浩;王涛;李代林 - 中国石油大学(华东)
- 2017-04-11 - 2020-01-14 - H01L45/00
- 一种基于铁电异质结的具有多值存储特性的非易失性阻变存储单元及其制备方法，属于半导体固态存储器技术领域。由写入底电极、铁电单晶基片、阻变层和顶电极组成；铁电单晶基片的下表面制备有写入底电极，上表面制备有阻变层；阻变层上制备有顶电极，顶电极由四个条形电极构成，中间两个条形电极为电阻状态的读取电极，在读取电极的外侧对称的分布的两个条形电极为写入顶电极，用外部导线相连；或顶电极由一个环形电极和两个条形电极构成，环形电极对称环绕分布在两个条形电极的周围，环形电极为写入顶电极，两个条形电极为电阻状态的读取电极；写入顶电极与写入底电极一起构成了电阻状态的写入电极。具有结构简单、稳定性强、制作成本低、可以工作在室温的特点。
- 一种具有神经仿生功能的忆阻器及制备方法和应用-201710777067.X
- 闫小兵;张磊;王静娟;李小燕 - 河北大学
- 2017-09-01 - 2020-01-14 - H01L45/00
- 本发明公开了一种具有神经仿生功能的忆阻器，其结构从下到上依次包括衬底、在所述衬底上形成的Ag底电极层、在所述Ag底电极层上形成的功能层以及在所述功能层上形成的Ag顶电极层；所述功能层从下到上依次包括第一锆铪氧膜层、石墨烯氧化物量子点中间层以及第二锆铪氧膜层。同时，本发明还公开了该忆阻器的制备方法及应用。本发明通过特定结构的设计，使得最终制备的忆阻器具有很好的神经仿生效果；尤其是在功能层将石墨烯氧化物量子点中间层设置于第一锆铪氧膜层和第二锆铪氧膜层之间，这可精确控制导电细丝的生长和破裂来提高器件的均一性，能够使器件较现有同类型器件具有更稳定的阻值变化、更低的功耗、更好的稳定性和均一性。
- 一种避免误读的阻变存储器及制备方法-201710777096.6
- 闫小兵;张磊;王静娟;李小燕 - 河北大学
- 2017-09-01 - 2020-01-14 - H01L45/00
- 本发明公开了一种避免误读的阻变存储器，其结构从下到上依次包括衬底、在所底上形成的阻变介质层以及在阻变介质层上形成的Ag电极层；阻变介质层从下到上依次包括第一锆铪氧膜层、石墨烯氧化物量子点中间层以及第二锆铪氧膜层；还公开了该阻变存储器的制备方法。本发明制备了特定结构的阻变存储器，尤其是将石墨烯氧化物量子点中间层嵌入到阻变材料层的第一锆铪氧膜层和第二锆铪氧膜层之间，这可精确控制导电细丝的生长和破裂来提高器件的均一性，使得最终制备的阻变存储器具有更稳定的阻值变化、更低的功耗、更好的稳定性和均一性，而且制备方法简单，操作性好，易于大规模生产制造，具有广阔的应用前景。
- 一种双阻变层忆阻器及制备方法-201910787219.3
- 叶葱;刘磊;柯善武;刘炎欣 - 湖北大学
- 2019-08-25 - 2020-01-10 - H01L45/00
- 本发明提供一种双阻变层忆阻器及制备方法，所述双阻变层忆阻器包括依次叠加的底电极、第一阻变层、第二阻变层及顶电极；其中，所述第一阻变层由多元钙钛矿氧化物、二元金属氧化物、硫族固态电解质或氮化物中的一种或多种制备；所述第二阻变层由铁电材料制备。本发明的有益效果在于(1)制备方法简单、易于操作；(2)忆阻器在插入铁电材料制备的阻变层后具有阻变窗口大，器件的耐久性好，保持时间长等优势，并获得了多级存储的功能；(3)在施加电压刺激时可连续调控电阻，具有生物突触仿生的功能；(4)可以对生物突触中的时序依赖突触可塑性学习规则进行模拟，具有自主学习的功能。
- 一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法-201910797024.7
- 周晔;丁光龙;杨林;韩素婷 - 深圳大学
- 2019-08-27 - 2020-01-10 - H01L45/00
- 本发明公开一种基于二维MXene材料的阻变存储器及制备方法，包括基底、依次叠设在所述基底上的第一电极层、活性层以及第二电极层，所述活性层材质为自氧化的二维MXene材料或二维MXene材料与阻变材料的混合物；所述阻变材料包括：氧化物、硫族化合物、氮化物、硅基材料、有机阻变材料、有机无机杂化阻变材料等。本发明将二维材料MXene自氧化或将其与氧化物通过掺杂的方式进行结合并作为活性层来制备RRAM器件，既可以利用二维MXene表面丰富的活性位点也可以利用氧化物等阻变材料本身的优越性能，因此可以得到制备工艺简单、性能更为优越的存储器件。与基于二维材料的存储器相比，本发明所提出的存储器简化了器件制备工艺，降低了成本，更有利于商业化。
- 一种铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法-201910933647.2
- 李颖;张坤;武焱旻;赵高扬 - 西安理工大学
- 2019-09-29 - 2020-01-10 - H01L45/00
- 本发明公开了一种铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备铈金属氧化物溶胶；步骤2，制备二氧化钛溶胶；步骤3，将步骤1制备的铈金属氧化物溶胶和二氧化钛溶胶混合，待搅拌均匀后进行陈化得到铈掺杂二氧化钛溶胶，其中钛离子与铈离子的摩尔比为(200‑2000)：1；步骤4，采用浸渍‑提拉法，以铈掺杂二氧化钛溶胶为原料在室温下使用提拉机在Pt铂金电极基板上进行铈掺杂二氧化钛凝胶薄膜的提拉，铈掺杂二氧化钛凝胶薄膜在室温下干燥后，再进行热处理得到铈掺杂氧化钛薄膜。该铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法具有制备成本低、工艺简单、容易控制等优点。
- 专利分类
