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[发明专利]电阻切换存储器件和用于形成电阻切换存储器件的方法-CN202111526137.7在审
发明人： S·纳拉亚南;甘为辰;N·小瓦斯克斯 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文提供了电阻切换存储器件的制造。例如，公开了一种用于制造非易失性电阻存储器件的两步蚀刻的方法。在另一实施例中，公开了一种用于制造非易失性电阻存储器件的三步蚀刻的方法。其他实施例公开了一种用于制造非易失性金属氮/金属氧电阻切换存储器件的方法。另外的实施例公开了一种用于制造易失性电阻切换选择器装置的方法。还提供了与制造所公开的电阻存储器件一起形成保护垫片的工艺。
电阻切换存储器件用于形成方法

[发明专利]具有受限丝状体的电阻切换存储器及其方法-CN202111537928.X在审
发明人： S·纳拉亚南;甘为辰;N·小瓦斯克斯;李伟提 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了具有基于细丝的切换机制的电阻切换存储单元。通过示例，公开了具有被限制到单元的芯的电阻丝的电阻切换存储单元。在其他示例中，公开了用于制造电阻切换存储单元以将形成在电阻切换存储单元中的导电细丝限制到单元的芯的中心部分的方法。
具有受限丝状电阻切换存储器及其方法

[发明专利]利用芯片上电阻存储器阵列的不可克隆特性的独特芯片标识符-CN202180006606.4在审
发明人：赵星贤;H·纳扎里安;桑·阮;J·盖伊;Z·李 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑0.1至0.1的范围内。半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。
利用芯片电阻存储器阵列不可克隆特性独特标识符

[发明专利]用于介电阻隔层的衬垫层-CN201710451697.8有效
发明人： S·纳拉亚南;Z·古;N·瓦斯克斯 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明关于一种用于介电阻隔层的衬垫层。可在介电材料内部分形成二端记忆体装置，该介电材料呈电气绝缘且操作为使运用于集成电路制造中金属粒子扩散缓和的阻隔层。此介电材料可通过含硅衬垫保护而免因对介电材料具有侵蚀性的其它制造程序(例如：CMP、HF清洁等)而受到影响。使用含硅衬垫可使待保留的介电材料的厚度极小，并且可促使形成二端记忆体装置的相邻材料表面之间的阶梯高度差达到小于约五埃的等级。此小阶梯高度差可产生优异的切换特性，当下伏于二端记忆体装置的切换层时尤其如此。
用于电阻隔层衬垫

[发明专利]包括不连续接触面的二端存储器电极-CN201511032467.5有效
发明人：赵星贤;J·贝廷格;X·L·刘;Z·Y·任;X·赵;FNU·阿帝奎子门 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明描述了提供用于二端存储器件的电极。举例来说，所述电极可以包括接触面，所述接触面包括至少一个表面不连续。例如，所述电极可以具有间隙、断开或与所述二端存储器件的另一个部件电接触的表面的其他不连续部分。在一个实例中，所述接触面可以包括环面或近似环面，所述近似环面例如在所述环面的中心内具有不连续。在一些实施例中，公开的电极可以是由沉积在通过绝缘体中的通孔或沟槽所形成的不连续表面上方或由所述绝缘体形成的或在所述绝缘体上的柱状物器件上方的导电层形成的。
包括连续接触面存储器电极

[发明专利]具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构-CN202010752604.7在审
发明人： H·纳扎里安 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构。半导体设备包括存储设备，分别包括与控制晶体管串联的选择器晶体管和存储单元，其中该控制晶体管连接到该存储单元。半导体设备的控制线沿第一方向延伸，并且第一控制线连接到第一存储设备控制晶体管和第二存储设备控制晶体管。字线沿第一方向延伸，并且第一字线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。位线在第二方向上延伸，第一位线连接到第一存储设备存储单元，第二位线连接到第二存储设备存储单元。源极线在第二方向上延伸，并且第一源极线连接到第一存储设备选择器晶体管和第二存储设备选择器晶体管。
具有选择控制晶体管电阻随机访问存储器架构

[发明专利]具有增强电场的三维双端存储器-CN201410364826.6有效
发明人：赵星贤;J·贝廷格;刘贤亮 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明描述了具有增强的电场特性的三维存储单元。举例来说，双端存储单元可以是由材料层堆叠构成的，其中各个层沿着与构建材料层堆叠的基板表面的法线方向形成非零角度的方向布置。在一些方面，所述方向可以与所述法线方向垂直或基本上垂直。在其他方面，所述方向可以与所述法线方向不垂直。当存储单元的内部角形成非垂直角时，可以得到增强的电场或电流密度，从而提供改善的开关时间和存储性能。
具有增强电场三维存储器

[发明专利]使用集成电路铸造相容工艺的单片集成电阻式存储器-CN201510067803.3有效
发明人： S·纳拉亚南;S·麦克斯维尔;N·小瓦斯克斯;H·Y·吉 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用集成电路铸造相容工艺的单片集成电阻式存储器，提供电阻式存储器的单片集成，其具有利用集成电路铸造相容工艺的互补金属氧化物半导体。提供一种存储器装置，其包括衬底﹑第一绝缘体层和单片堆栈，该衬底包含一个或多个互补金属氧化物半导体装置，该第一绝缘体层形成于该衬底上。该单片堆栈包含作为单片工艺的一部分而被制造在该第一绝缘体层上方的多个层。该多个层包含第一金属层、第二绝缘体层、和第二金属层。该电阻式存储器装置结构是在该一个或多个互补金属氧化物半导体装置的热预算内的情况下形成在该第二绝缘体层内。该电阻式存储器装置结构被实现为柱形装置或通孔装置。此外，该第一金属层耦合到该第二金属层。
使用集成电路铸造相容工艺单片集成电阻存储器

[发明专利]具有嵌入式内联运算逻辑的非易失性存储器组-CN202010486577.3在审
发明人： M·安娜沙瑞 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本文公开了一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置具有嵌入该非易失性存储器装置的存储器组中的处理逻辑。例如，用于控制处理逻辑的命令可以向主机装置公开，使得主机装置能够与存储器操作结合来启动存储器组的处理能力。在读取或写入由存储器操作识别的数据时，可以由通过主机装置传输的数据命令指示处理能力。读取数据可以在被输出到与存储器组连接的数据接口之前通过存储器组处理。同样，在存储器组接收到的写入数据可以与将写入数据存储在非易失性存储器装置中结合而被处理。因此，公开的存储器装置可以与向包括两端子非易失性存储器的各个存储器组的存储器装置读取或写入数据结合来实施内部处理。
具有嵌入式内联运算逻辑非易失性存储器

[发明专利]可缩放的基于硅的电阻式存储器装置-CN201510067038.5有效
发明人： S·纳拉亚南;S·P·麦克斯维尔;N·小瓦斯克斯;H·Y·吉 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可缩放的基于硅的电阻式存储器装置。存储器单元包括形成在衬底上的第一金属层。该衬底包括一个或更多的互补金属氧化物半导体装置。该存储器单元还包括通孔装置，通孔装置连结至少该第一金属层的一部分以及第二金属层的至少另一部分。该第一金属层具有第一厚度，第一厚度具有一边缘以作为经由该通孔装置而形成的存储器单元的电极。该存储器单元随着该第一厚度的变化以及至少部分独立于该存储器装置的最小特征尺寸而缩放。
缩放基于电阻存储器装置

[发明专利]运算存储器架构-CN201880077581.5在审
发明人： M·安娜沙瑞;H·纳扎里安;C·苏克;S·迪布瓦 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本文中提供一种运算存储器架构。非易失性存储器架构可包括：电阻性随机存取存储器阵列，包括多组位线和多个字线；第一数据接口，用于从外部装置接收数据以及将数据输出到外部装置；以及第二数据接口，用于将数据输出到外部装置。非易失性存储器架构也可以包括可编程处理元件，所述可编程处理元件与所述电阻性随机存取存储器阵列的多组位线的相应的位线组连接，并且连接至数据接口。可编程处理元件被配置成经由所述相应的位线组从电阻性随机存取存储器阵列中接收储存数据或经由数据接口从外部装置中接收外部数据，并且对外部数据或储存数据执行逻辑或数学算法并且产生已处理数据。
运算存储器架构

[发明专利]电阻式随机访问存储器和制作技术-CN201880077559.0在审
发明人： S·乔;S·纳拉亚南;Z·顾 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种自对准存储器装置，包含设置在绝缘层内并具有共平面型顶部表面的导电性底部插塞、设置在该共平面型顶部表面上并具有在50埃至200埃的范围内的厚度的自对准平面型底部电极、设置在该自对准平面型底部电极上的平面型切换材料层、设置在该平面型切换材料层上的平面型活性金属材料层、以及设置在该平面型活性金属材料层之上的平面型顶部电极，其中，该自对准平面型底部电极、该平面型切换材料层、该平面型活性金属材料层和该平面型顶部电极形成柱状结构在该绝缘层之上。
电阻随机访问存储器制作技术

[发明专利]利用铝作为蚀刻停止层-CN201710209246.3有效
发明人： S·纳拉亚南;N·瓦斯克斯;顾震;王韫宇 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：可根据一种制造方法形成一种二端阻变器件(TTRSD)，如非易失性二端存储器器件或易失性二端选择器器件。该方法可包含形成包含铝的蚀刻停止层，而且该方法可包含在蚀刻停止层下及/或蚀刻停止层与TTRSD的上电极之间形成缓冲层。
利用作为蚀刻停止

[发明专利]非化学计量电阻式切换内存装置和制造方法-CN201611042583.X有效
发明人： S·H·赵 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及非化学计量电阻式切换内存装置和制造方法，其描述了提供电阻式切换内存装置。举例来说，电阻式切换内存装置可以包括底部电极、导电层、电阻式切换层和顶部电极。此外，可以选择两个或更多个层以减轻该装置上的机械应力。在各种实施例中，电阻式切换层和导电层可由具有不同氮化物/氧化物浓度和不同电阻的兼容金属氮化物或金属氧化物材料形成。此外，类似的材料可以减轻电阻式切换内存装置的电阻式切换层和导电细丝上的机械应力。
化学计量电阻切换内存装置制造方法

[发明专利]调节接口层形成两端存储器-CN201611124647.0有效
发明人： S·纳拉亚南;S·H·赵;L·赵 -专利权人： 科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及调节接口层形成双端存储器。本发明提供了一种双端存储器器件的制造，构造和/或组装。双端存储器器件可以包括具有含硅层，界面层和活性金属层的有源区。界面层可以在含硅层上生长，并且界面层的生长可以用一氧化二氮等离子体来调节。
调节接口形成两端存储器

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