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[发明专利]一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法-CN201810168523.5有效
发明人：王浩;蔡恒梅;马国坤;宋泽浩;周海 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极，CsPbBr3薄膜作为阻变层，用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液，用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上，再滴加甲苯作反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，并在100～150℃条件下退火10～30min，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得，制备工艺简单，成本低，通过改变加热温度和加热时间，器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。
一种无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法-CN201810819082.0有效
发明人：马国坤;何玉立;王浩;周潇文;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本发明的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外，本发明的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。
阻变存储器元素掺杂制备钙钛矿介质层卤化物钙钛矿半导体材料产业化应用钙钛矿薄膜从上至下功能器件器件功耗市场应用玻璃基底电极顶电极结构层均一性开关比掺入

[发明专利]一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法-CN201810819083.5有效
发明人：周潇文;王浩;何玉立;蔡恒梅;马国坤 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，其中：所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素，所述的卤化物钙钛矿层材料的分子通式为ABX
阻变存储器钙钛矿薄膜钙钛矿材料钙钛矿层底电极卤化物制备二氧化钛薄膜层半导体材料二氧化钛薄膜卤化物钙钛矿产业化应用从上至下分子通式功能器件器件功耗市场应用制备工艺玻璃基顶电极开关比掺入掺杂

[发明专利]一种基于卤化亚锡的阻变存储器-CN201710611789.8有效
发明人：王浩;何玉立;马国坤;刘春雷;蔡恒梅;陈傲 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于卤化亚锡的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，用FTO、或ITO、或ZTO作为基片和底电极，卤化亚锡薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化亚锡，它具有成分简单、易于成膜、性能稳定的特点。以卤化亚锡作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。
一种基于卤化存储器

[发明专利]一种油酸钝化有机无机杂化钙钛矿阻变存储器及制备方法-CN201710691211.8有效
发明人：王浩;蔡恒梅;马国坤;何玉立 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种油酸钝化有机无机杂化钙钛矿阻变存储器及其制备方法，它的结构从下至上依次为底电极、阻变层、油酸钝化层和顶电极。FTO作为底电极，CH₃NH₃PbI₃薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极，在阻变层和顶电极之间设置了油酸钝化层和顶电极。CH₃NH₃PbI₃薄膜采用溶液化学方法制备，顶电极采用磁控溅射沉积法制备，油酸钝化层是将油酸涂布在CH₃NH₃PbI₃薄膜上形成的。本发明利用油酸在CH₃NH₃PbI₃薄膜表面钝化，阻断CH₃NH₃PbI₃薄膜与空气中的水和氧气的接触，克服了CH₃NH₃PbI₃薄膜在潮湿的空气中易分解的毛病，提高器件的稳定性，同时降低了电子在阻变层的迁移率，增大存储窗口。
一种油酸钝化有机无机杂化钙钛矿阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于二维Ti₃C₂-MXene薄膜材料的透明柔性阻变存储器及其制备方法-CN201910451967.4在审
发明人：马国坤;赵青尧;王浩;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维Ti₃C₂‑MXene薄膜材料的透明柔性阻变存储器及其制备方法，属于微电子功能器件技术领域。所述透明柔性阻变存储器从下至上依次包括：柔性衬底、底电极、阻变层、顶电极，其中：所述阻变层材料为二维Ti₃C₂‑MXene薄膜。本发明采用低温一步溶液法在底电极上表面制备Ti₃C₂‑MXene薄膜，成膜工艺简单，更容易大面积制备薄膜，且本发明的Ti₃C₂‑MXene薄膜制备过程无毒、对环境友好。另外，本发明通过实验对比，可以保证器件存储性能在弯折到曲率半径为5.42cm及在该曲率半径下弯折30次后仍保持稳定，适用于透明柔性存储领域，为探索柔性存储器乃至可穿戴电子设备提供了新思路。
透明柔性制备阻变存储器二维薄膜薄膜材料底电极阻变层可穿戴电子设备薄膜制备过程柔性存储器成膜工艺存储领域存储性能功能器件环境友好实验对比一步溶液顶电极上表面衬底弯折下弯微电子无毒探索保证

[发明专利]一种基于Ti₃C₂-MXene薄膜功能层的选通器件及其制备方法-CN201910451337.7在审
发明人：王浩;赵青尧;马国坤;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ti₃C₂‑MXene薄膜功能层的选通器件及其制备方法，属于微电子功能器件技术领域。本发明的选通器件，从下至上依次包括底电极、功能层、顶电极，其中：所述功能层材料为二维Ti₃C₂‑MXene薄膜。本发明采用滴涂法在底电极表面制备Ti₃C₂‑MXene薄膜，成膜简单，容易大面积制备，与衬底材料的附着性好，制得的薄膜致密性好。另外，本发明制备的选通管器件，具有较高的非线性值和开态电流密度，可以克服串扰问题，使它在电子器件应用领域极具研究价值。
制备薄膜选通器件功能层底电极薄膜致密性功能层材料表面制备衬底材料电子器件功能器件顶电极附着性选通管成膜串扰滴涂二维开态微电子研究

[发明专利]一种二维Ti₃C₂-MXene薄膜材料及其制备方法和在阻变存储器中的应用-CN201910451981.4在审
发明人：马国坤;赵青尧;王浩;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维Ti₃C₂‑MXene薄膜材料及其制备方法和在阻变存储器中的应用，属于膜制备以及微电子功能器件技术领域。本发明采用低温一步溶液法在导电基底表面制备MXene薄膜，成膜简单，且更容易大面积制备薄膜。本发明首次采用新型二维材料MXene来替代传统的阻变材料应用于存储器领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括硬质衬底、底电极、阻变层、顶电极，其中：所述阻变层材料为二维Ti₃C₂‑MXene薄膜材料，所述阻变层的厚度100～450nm，制得的器件在断电时能保持原来的阻态，为非易失性存储器，且该器件连续多次循环后仍能保持稳定，具备循坏耐受性。
制备阻变存储器薄膜材料阻变层二维薄膜耐受性应用非易失性存储器导电基底表面存储器领域多次循环二维材料功能器件一步溶液阻变材料传统的底电极顶电极膜制备衬底成膜硬质阻态微电子断电替代

[发明专利]一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器及其制备方法-CN201811443058.8在审
发明人：王浩;蔡恒梅;马国坤;赵青尧 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，属于功能器件技术领域。本发明的存储器包括底电极、设于底电极上表面的Bi基钙钛矿阻变层、设于阻变层上表面的顶电极，其中：所述阻变层材料为MA₃Bi₂I₉薄膜。本发明的存储器制备方法如下：在预处理过的底电极表面旋涂MA₃Bi₂I₉薄膜层；在所述MA₃Bi₂I₉薄膜层表面蒸镀或溅射镀金属电极。本发明采用一步低温溶液法在底电极表面制备MA₃Bi₂I₉薄膜，制备出的MA₃Bi₂I₉薄膜表面致密，且制备工艺流程简单、可控性强、产品可重复率高。另外，本发明的阻变存储器结构简单，阻变性能优异，应用范围广。
底电极制备阻变层基钙钛矿环境友好型阻变存储器存储器上表面薄膜预处理阻变存储器结构致密薄膜层表面应用范围广薄膜表面表面制备低温溶液功能器件工艺流程薄膜层顶电极镀金属可控性可重复电极变性溅射旋涂蒸镀

[实用新型]一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器-CN201821174791.X有效
发明人：马国坤;何玉立;王浩;周潇文;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器，涉及功能器件技术领域。本实用新型的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本实用新型的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本实用新型制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外，本实用新型的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。
阻变存储器本实用新型元素掺杂钙钛矿介质层卤化物钙钛矿产业化应用钙钛矿薄膜从上至下功能器件器件功耗市场应用玻璃基底电极顶电极结构层均一性开关比掺入制备

[实用新型]一种基于钙钛矿材料的阻变存储器-CN201821174070.9有效
发明人：周潇文;王浩;何玉立;蔡恒梅;马国坤 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器，属于功能器件技术领域。本实用新型的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素，所述的卤化物钙钛矿材料的分子通式为ABX₃，其中：A＝CH₃NH₃或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。本实用新型仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜，同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本实用新型制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，器件功耗显著减低。另外，由于本实用新型的阻变存储器制备成本低，制备工艺简单，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。
本实用新型阻变存储器卤化物钙钛矿钙钛矿薄膜钙钛矿材料底电极二氧化钛薄膜层二氧化钛薄膜产业化应用从上至下分子通式钙钛矿层功能器件器件功耗市场应用制备工艺玻璃基顶电极开关比卤化物掺入制备掺杂

[发明专利]一种基于卤化铅的阻变存储器-CN201710472596.9有效
发明人：王浩;何玉立;马国坤;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于卤化铅的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，FTO、ITO、ZTO作为基片和底电极，卤化铅薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化铅，它具有成分简单、易于成膜、在空气中化学性能稳定的特点。以卤化铅作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点，它的存储窗口值达到了103以上。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。
一种基于卤化存储器

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