[发明专利]用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法在审
| 申请号： | 201910906740.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110752292A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 马平;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：当相变材料层厚度减小到20nm以下时，利用相变材料具有的多个接触界面，所述接触界面包括相变材料层分别与一对电极的第一电极、第二电极以及绝缘介质层的接触界面，通过所述第一电极、第二电极分别选材自不同的电极材料，同时通过所述绝缘介质层选材自不同的绝缘介质材料，在同一结构中主动在多个不同的接触界面上对相变材料的晶化阈值进行调控。由此对相变层进行“界面调控”，改变相变材料的本征晶化阈值，使得界面接触不再是工艺制备过程中需要减弱影响的环节，而是主动对器件性能进行改性的一个部分。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料 接触界面 晶化 绝缘介质层 相变材料层 第二电极 第一电极 调控 选材 工艺制备过程 绝缘介质材料 电极材料 厚度减小 界面接触 界面效应 器件性能 电极 覆盖层 本征 改性 环节 | ||
【主权项】：
1.用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法，其特征在于：/n当相变材料层厚度减小到20nm以下时，利用相变材料具有的多个接触界面，所述接触界面包括相变材料层分别与一对电极的第一电极、第二电极以及绝缘介质层的接触界面，通过所述第一电极、第二电极分别选材自不同的电极材料，同时通过所述绝缘介质层选材自不同的绝缘介质材料，在同一结构中主动在多个不同的接触界面上对相变材料的晶化阈值进行调控。/n
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