[发明专利]用于提供具有纳米线加热器的传感器的方法在审
| 申请号： | 201910699279.X | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110779957A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张华伦;黄睿政;陈东村;黄毓杰;萧怡馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;H05B3/12 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明可提供一种具有纳米线加热器的传感器的方法。传感器可在包括背面层和内埋氧化物(BOX)层的绝缘层上硅(SOI)晶片的器件层中图案化，且纳米线加热器可在邻近传感器的绝缘层上硅晶片的器件层中图案化。接下来，可形成用于绝缘层上硅晶片的金属布线，且可在绝缘层上硅晶片的金属布线侧上设置接合载体晶片。然后可研磨背面层，直到内埋氧化物层暴露。器件层可通过内埋氧化物层图案化以暴露传感器和纳米线加热器。介电质可沉积以覆盖以下中的至少一个：传感器；和纳米线加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 绝缘层上硅 纳米线 晶片 器件层 传感器 内埋 金属布线 背面层 图案化 氧化物层图案 暴露传感器 邻近传感器 氧化物层 载体晶片 接合 研磨 介电质 氧化物 沉积 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供具有纳米线加热器的传感器的方法，其特征在于，包括：/n将包含背面层和内埋氧化物(BOX)层的绝缘层上硅(SOI)晶片的器件层中的所述传感器图案化；/n将邻近于所述传感器的所述绝缘层上硅晶片的所述器件层中的所述纳米线加热器图案化；/n形成用于所述绝缘层上硅晶片的金属布线；/n在所述绝缘层上硅晶片的所述金属布线侧上提供接合载体晶片；/n研磨所述背面层，直到所述内埋氧化物层暴露；/n通过所述内埋氧化物层来图案化所述器件层以暴露所述传感器和所述纳米线加热器；以及/n沉积介电质以覆盖以下中的至少一个：所述传感器；以及所述纳米线加热器。/n
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- 本实用新型公开了一种光纤光栅PH测量计，包括机体和显示屏，所述机体的内部设置有显示屏，所述显示屏的下方设置有操作盘，所述机体通过电线连接有电极，所述电极的下方设置有清洗装置，本实用新型有溶液、清洗桶、排水装置和水管构成的清洗装置，可以在PH测量计使用时倒入蒸馏水，使得每一次测量时不必先将电极放置在蒸馏水中润湿，使得测量结果准确，短时间放置不用时，电极需要储存在PH＝4的缓冲溶液中，长时间不用时，电极需要储存在PH＝7的缓冲溶液中，可以更好的保护电极，而本装置固定在机体上并不需要其他的设备就可以进行很好的储存，可以减少实验室设备用量，同时更好的保护和简化实验步骤。
- 可切换式正负离子检测仪-201920550122.6
- 王红春 - 廊坊朗净仪器有限公司
- 2019-04-22 - 2020-01-17 - G01N27/00
- 本实用新型公开了一种可切换式正负离子检测仪，包括：外防护箱体、电源空开和采集组件；电源空开控制整个离子检测仪的电源通断；采集组件置于所述外防护箱体内；采集组件包括：第一监测圆管、第二监测圆管、采集电板盒、电源与分析电板和多参数综合控制采集器；第一监测圆管和第二监测圆管的一端为无损进风口件，另一端为采集电板盒，并且与出风口件连通；采集电板盒与所述电源与分析电板电性连接；电源与分析电板与多参数综合控制采集器电性连接。本实用新型提供了一种可切换式正负离子检测仪，使电荷运动方向随着电场方向的改变而改变，使本实用新型的两个监测圆管中任一个单元的电荷接收端既能接收到带正电荷的离子也能接收到带负电荷的离子。
- 用于采集神经记录的设备和方法-201880036810.9
- 皮尔·J·J·维德内斯;科林·道顿 - 纽奥拉生物科技公司
- 2018-04-04 - 2020-01-17 - G01N27/00
- 本公开提供一种三维微电极，其包括导电的伸长主体，该伸长主体具有：能够电连接至记录系统的基座；与基座相对的尖端，其被构造用以与可激发细胞网络或其中的细胞建立电连通；以及位于基座与尖端之间的伸长部分。伸长部分被覆盖有至少一层电绝缘体涂层，该电绝缘体涂层从基座延伸到尖端的附近。本公开还提供一种微电极阵列，其包括与至少一个记录系统电连接的至少两个三维微电极。本公开还提供一种制作和使用三维微电极以及包括三维微电极的阵列的方法。
- Pt-In-201910869353.8
- 秦胜妍;赵飞;屈军毅 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
- 2019-09-16 - 2020-01-14 - G01N27/00
- 本发明属于超敏器件制备领域，尤其涉及Pt‑In
- 专利分类
