专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]白光激光器-CN202320400479.2有效
  • 何绍勇;屈军毅;秦胜妍 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-08-29 - H01S5/0225
  • 本实用新型公开了一种白光激光器,包括基座、设置在所述基座上的蓝光激光芯片、与所述蓝光激光芯片连接的黄色荧光片以及覆盖在所述蓝光激光芯片上的保护层;所述蓝光激光芯片与所述基座电连接,所述蓝光激光芯片具有出光口,所述黄色荧光片覆盖所述出光口。通过设置基座电连接蓝光激光芯片,在出光口处设置黄色荧光片,并设置保护层,这样的白光激光器便于组装,并且对蓝光激光芯片和黄色荧光片的保护效果好,使得白光激光器的寿命长。
  • 白光激光器
  • [发明专利]一种路灯-CN202310364140.6在审
  • 屈军毅;秦胜妍;宋军 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-08-04 - F21V21/14
  • 本发明公开了一种路灯,包括灯体以及安装件;灯体的一端设有连接件,安装件包括主体和连接配合件,主体的另一端用于与外部结构连接,连接配合件与连接件匹配,连接配合件为斜面;安装件包括第一侧和第二侧,第一侧和第二侧对称,当第一侧靠近灯体的上端时,灯体与连接配合件连接并与主体水平,当第一侧靠近灯体的下端时,灯体与连接配合件连接并与主体垂直;连接件上间隔设有多个抵接件,连接配合件上间隔设有多个抵接配合件,抵接件与抵接配合件匹配,连接配合件相对连接件转动使得抵接件与抵接配合件抵接。这样的路灯能通过调节灯体与安装件的角度从而调节灯体的安装角度,通用性较好,便于配合不同弯曲程度的外部结构安装对道路进行照明。
  • 一种路灯
  • [发明专利]低位路灯及其安装方法-CN202310364133.6在审
  • 屈军毅;秦胜妍;宋军 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-08-04 - F21V19/00
  • 本发明公开了一种低位路灯及其安装方法,包括主体,主体包括外壳和照明组件;照明组件包括第一灯体、第二灯体以及第三灯体,第一灯体、第二灯体以及第三灯体依次周向设置在外壳的右前方位置,第一灯体、第二灯体以及第三灯体从左至右依次设置,第二灯体、第一灯体以及第三灯体自照明组件的前侧至照明组件的后侧依次设置;第一灯体的光照轴线方向与第二灯体的光照轴线方向之间形成夹角a,第二灯体的光照轴线方向与第三灯体的光照轴线方向之间形成夹角b,夹角a等于夹角a,第一灯体的光照轴线方向与第三灯体的光照轴线方向之间形成夹角c,夹角c为40°~60°。这样的低位路灯不用高空作业,安装和维修方便且安装和维护成本低。
  • 低位路灯及其安装方法
  • [实用新型]激光器-CN202320404929.5有效
  • 何绍勇;秦胜妍;屈军毅 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-08-01 - H01S5/02315
  • 本实用新型公开了一种激光器,包括底座、设置在所述底座上的碗杯、设置在所述底座上的芯片以及与所述底座顶端连接的透镜盖板,所述碗杯设置在所述芯片的外周;所述碗杯的顶端设有焊接层,所述透镜盖板的下表面设有金属层,所述碗杯和所述透镜盖板通过所述焊接层焊接固定在一起,从而使得所述芯片密封。这样的固定方式能够使得透镜盖板和碗杯紧密的结合在一起,密封空间气密性好,从而使得芯片和激光器的寿命长,底座以及透镜盖板能够形成封闭的容纳有芯片的密封空间,这样使得激光器的气密性好,能够很好的保护芯片,增加激光器的使用寿命。
  • 激光器
  • [发明专利]Ni掺杂的PbTiO3-CN202010010468.4有效
  • 朱玲;秦胜妍;屈军毅 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2020-01-06 - 2022-10-18 - C01G21/00
  • 本发明实施例公开了一种Ni掺杂的PbTiO3晶体的制备方法,通过水热合成法先制备K2Ti6O13晶体,然后以K2Ti6O13晶体为导向剂,加入Pb源和Ni源,再次通过水热合成法得到Ni掺杂的PbTiO3晶体。经试验验证,本发明制备的Ni掺杂的PbTiO3晶体的晶格仍保持PbTiO3的四方晶格,具有铁电性,另一方面,Ni原位取代Ti,Ni的引入又使PbTiO3晶体的晶格产生了极化,从而具有铁磁性。经试验证明,本发明的Ni掺杂的PbTiO3晶体在室温下同时具有铁电和铁磁性,并且具有变窄的带隙。
  • ni掺杂pbtiobasesub
  • [发明专利]Cr2O3晶体的制备方法-CN201911196976.X有效
  • 秦胜妍;屈军毅 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-12-22 - C30B29/16
  • 本发明涉及一种Cr2O3晶体的制备方法,包括如下步骤:以铬前体材料为反应源,以卤素为辅助材料,将衬底置于生长区;以及在常压和保护气体氛围下,以氢气和所述保护气体的混合气体作为工作气体,加热衬底和所述反应源,在所述衬底上化学气相沉积形成Cr2O3晶体。经过测试验证,上述Cr2O3晶体的制备方法通过卤素(碘)辅助控制化学气相沉积方法,制得的Cr2O3晶体的横向尺寸达到微米级(3μm~5μm)。
  • cr2o3晶体制备方法
  • [发明专利]光电器件及其制备方法-CN201911196921.9在审
  • 秦胜妍;屈军毅 - 深圳市立洋光电子股份有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-04-14 - H01L31/032
  • 本发明涉及一种光电器件及其制备方法,光电器件包括第一电极、第二电极、n型层和p型层,所述p型层层叠在所述n型层上并且形成范德华异质结构,所述第一电极与所述n型层电连接,所述第二电极与所述p型层电连接;所述n型层的材料为SnS2,所述p型层的材料为GaSe。上述光电器件通过SnS2和GaSe形成范德华异质结构,将这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构设置在柔性衬底上进行光电特性检测时,发现这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构具有较佳的光电特性。应用了这种p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的光电器件会由于p‑GaSe/n‑CdI2晶体范德华异质结构的较佳的光电特性而具有更好的性能。
  • 光电器件及其制备方法

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