[发明专利]一种非易失性存储器及其编程方法在审
| 申请号： | 201910425174.5 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110136766A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄莹;魏文喆;李达 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；控制器，配置为：对所述多个存储单元中的第一存储单元施加第一编程信号；验证所述第一存储单元的阈值电压是否达到第一阈值电压；当所述第一存储单元的电压达到第一阈值电压时，验证所述第一存储单元的阈值电压是否达到第二阈值电压，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；当所述第一存储单元的阈值电压未达到第二阈值电压时，对所述第一存储单元施加第二编程信号。本发明提高了位于阈值电压分布下边界的存储单元的阈值电压，使每个编程态的分布更窄，增加读窗口的宽度，提高了非易失性存储器对电荷损失造成的读窗口变小的容忍度。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值电压 存储单元 非易失性存储器 编程信号 编程 施加 验证 存储单元阵列 阈值电压分布 电荷损失 控制器 容忍度 下边界 配置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；控制器，配置为：对所述多个存储单元中的第一存储单元施加第一编程信号；验证所述第一存储单元的阈值电压是否达到第一阈值电压；当所述第一存储单元的电压达到第一阈值电压时，验证所述第一存储单元的阈值电压是否达到第二阈值电压，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；当所述第一存储单元的阈值电压未达到第二阈值电压时，对所述第一存储单元施加第二编程信号。
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