专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于物理过程的红外积云的建模方法-CN202011044260.0有效
  • 黄曦;雷越;孙浩;马向超;吴鑫;刘德连;张建奇;单仝 - 西安电子科技大学
  • 2020-09-28 - 2023-10-03 - G06T7/62
  • 本发明实施例提供的一种基于物理过程的红外积云的建模方法,通过积云的三维网格模型,计算网格中存在的水汽输送、相变特征等过程,得到云的液滴密度、水汽密度、温度等特征的分布,然后,多重散射简化模型,对积云的可见光模型中存在的光照现象按照光照方向以及视线方向进行分类并计算,在确定散射相函数和基础散射理论后,计算多次散射的辐射能量,并计算红外场景中积云的自发辐射能量,从而得到总能量,对可见光模型的辐射能量进行修正,设计自发辐射在不同波段下的计算过程得到积云红外光照模型,然后对云的光照进行实时渲染。从而兼顾红外波段以及非红外波段积云,使得对积云渲染的真实性、实时性更高,同时提高对积云渲染的准确性。
  • 一种基于物理过程红外积云建模方法
  • [发明专利]一种存储器擦除方法及装置-CN201711248639.1有效
  • 张赛;张建军;马向超 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2017-12-01 - 2023-07-25 - G11C16/34
  • 本发明实施例公开了一种存储器擦除方法及装置。其中,存储器擦除方法包括:对擦除区域内的排布的存储单元进行擦除操作;对存储单元进行第一过擦除验证操作,用于将存储单元的阈值电压增大至大于第一设定阈值;依次对存储单元进行第二过擦除验证操作,用于将阈值电压增大至大于第二设定阈值;在进行第二过擦除验证操作中的第二读验证操作时,对擦除区域所在存储块内的所有未选中字线施加负压,并在满足设定条件后施加零电压,未选中字线为未与当前进行第二过擦除验证操作的存储单元的控制端电连接的字线。本发明实施例提供的技术方案,可解决存储器的老化和衰退,导致非擦除区域存在漏电,增加过擦除验证操作的时间的问题。
  • 一种存储器擦除方法装置
  • [发明专利]向存储器写入数据的方法、装置及存储介质-CN201911072175.2有效
  • 崔海亮;张皓;马向超;吴瑞仁;王坤 - 北京新忆科技有限公司
  • 2019-11-05 - 2023-02-21 - G06F3/06
  • 本申请提出一种向存储器写入数据的方法、装置及存储介质,方法包括:确定存储器的工作状态,读取存储器阵列中的第一数据和数据缓存区的第二数据;根据工作状态、第一数据和第二数据生成校验数据,校验数据中包括多个第一标识数据,每个第一标识数据用于表征对应比特位的数据是否需要重写,根据第一标识数据确定需要重写数据的目标比特位,并向目标比特位写入目标数据,从存储器阵列读取第三数据,根据第三数据、校验数据和工作状态对校验数据进行更新;根据更新后的校验数据再次确定需要重写数据的目标比特位并向目标比特位写入目标数据,直至确定无需要重写数据的比特位。通过本申请,能够有效减少写入数据的次数,提高数据写入效率。
  • 存储器写入数据方法装置存储介质
  • [发明专利]驱动电路和电子装置-CN202210887041.1在审
  • 何源;马向超;王坤 - 北京新忆科技有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-10-21 - G11C16/08
  • 一种驱动电路和电子装置。该驱动电路包括字线译码电路、电源译码电路和字线组驱动电路。字线译码电路配置为根据输入的地址信号进行译码并输出电源选择信号和字线组选择信号;电源译码电路包括Y个电源译码子单元,且配置为根据电源选择信号在Y个电源译码子单元中选择目标电源译码子单元以输出字线操作电压;字线组驱动电路包括X个字线组驱动单元,其中,每个字线组驱动单元包括多个字线驱动子单元,每个字线驱动子单元输出一路字线驱动信号,且字线组驱动电路配置为根据字线组选择信号在X个字线组驱动单元中选择目标字线组驱动单元,将电源译码电路输出的字线操作电压提供给目标字线组驱动单元中的目标字线驱动子单元。
  • 驱动电路电子装置
  • [发明专利]一种基于LSPR效应的加湿装置-CN202210546966.X在审
  • 马向超;贺伟明;吴鑫;李金泽;张建奇 - 西安电子科技大学
  • 2022-05-19 - 2022-10-04 - F24F6/08
  • 本发明公开了一种基于LSPR效应的加湿装置,包括:透明水箱、至少一个固定件和至少一个基板;透明水箱,顶部开设有至少一个出汽口;固定件,固定设置在透明水箱的内底部上,与基板的边沿固定连接;基板,竖立设置,表面覆盖有SiO2/Al核壳结构薄膜。本发明基于局域表面等离子激元共振效应的SiO2/Al核壳结构薄膜可以在吸收光能后在其结构附近产生热效应,从而使薄膜附近的液体水快速升温,实现液体水汽化从出汽口溢出从而达到增加周围环境加湿的效果,加湿装置在工作过程中,无其他辐射,功耗低且环保,具有静音工作的效果,还能够抑制了透明水箱内细菌的产生。
  • 一种基于lspr效应加湿装置
  • [发明专利]阻变式存储器的写驱动方法及电路-CN202210431362.0在审
  • 马向超;王坤 - 北京新忆科技有限公司
  • 2022-04-22 - 2022-08-05 - G11C13/00
  • 本申请提供了一种阻变式存储器的写驱动方法及电路。其中,阻变式存储器的写驱动电路包括写驱动开关单元、阻变存储模块和脉冲控制电路,脉冲控制电路的一个输入端电连接写驱动脉冲使能信号,另一个输入端电连接写驱动开关单元的输出端;脉冲控制电路的输出端电连接写驱动开关单元的控制端;写驱动开关单元的输出端电连接阻变存储模块的选通单元。通过为写驱动电路引入一个负反馈,可以实时检测写驱动电路的输出电压,从而识别对应的写操作是否成功完成,在识别到对应的写操作成功完成的情况下,关断写驱动电路,提前结束写操作脉冲的输入。可以有效减少阻变器件的过操作,从而提高器件的可靠性。
  • 阻变式存储器驱动方法电路
  • [发明专利]阻变式存储单元和阻变式存储器-CN202010630446.8有效
  • 许天辉;马向超;王坤 - 北京新忆科技有限公司
  • 2020-07-03 - 2022-08-02 - G11C13/00
  • 本发明提出一种阻变式存储单元和阻变式存储器,其中,存储单元包括:第一至第四晶体管;第五至第八晶体管;第一至十六阻变元件;位线端口、源线端口及第一至第八字线端口;第一至第四晶体管的一端分别与位线端口连接,第一至第四晶体管的另一端通过一个阻变元件分别与第五至第八晶体管的一端连接,第五至第八晶体管的另一端分别与源线端口连接,第一至第八晶体管的控制端分别与第一至第八字线端口连接。由此,该存储单元能够在存储16位数据的前提下,减小平均每位数据占据的存储单元面积,减少字线及其字线驱动电路,缩小位线驱动电路和源线驱动电路,减小读操作时位线漏电流,从而提高存储单元构成的阻变式存储器的存储密度和可靠性。
  • 阻变式存储单元存储器
  • [发明专利]阻变式阵列器件一致性的补偿方法及电路-CN202210431352.7在审
  • 马向超;王坤 - 北京新忆科技有限公司
  • 2022-04-22 - 2022-07-22 - G11C13/00
  • 本申请提供了一种阻变式阵列器件一致性的补偿方法及电路。其中方法包括:获取位线上的多个器件各自所处位置节点的位置信息,根据所述多个器件各自的位置信息和预设补偿逻辑,确定所述多个器件各自的目标补偿系数;基于所述多个器件各自的目标补偿系数和参考电压,得到补偿后的施加于所述多个器件各自的操作电压,以实现所述多个器件的操作电压的一致。通过引入器件所处位置节点的节点参数信息,进而调节施加在器件上的操作电压,通过此方法对操作电压进行补偿,使得不同位置的器件实际施加的操作电压近似,进而提高阵列器件的一致性。
  • 阻变式阵列器件一致性补偿方法电路
  • [发明专利]混合型存储单元和存储器-CN202210266637.X在审
  • 许天辉;马向超;王坤 - 北京新忆科技有限公司
  • 2022-03-17 - 2022-07-15 - G11C13/00
  • 本发明公开了一种混合型存储单元和存储器。该混合型存储单元包括:晶体管型存储元件、阻变元件、位线端口、源线端口和字线端口;其中,所述阻变元件的一端与所述位线端口连接,所述阻变元件的另一端与所述晶体管型存储元件的一端连接,所述晶体管型存储元件的另一端与所述源线端口连接,所述晶体管型存储元件的控制端与所述字线端口连接。由此,相较于相关技术中阻变型存储单元包括晶体管和阻变元件,本方案中可用晶体管型存储元件替换阻变型存储单元中的晶体管,以生成混合型存储单元,混合型存储单元的存储密度更大。
  • 混合存储单元存储器

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