[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910356516.2 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110767750A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 司空炫哲;裵相友;崔琦铉;朴浚均;郑旭珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供半导体器件。半导体器件包括：衬底；第一鳍型图案和第二鳍型图案，其从衬底的上表面突出并彼此隔开；第一鳍型图案上的第一半导体图案；第二鳍型图案上的第二半导体图案；和第一半导体图案和第二半导体图案之间的阻挡图案，第一半导体图案的一部分插入到阻挡图案中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体图案 鳍型 图案 半导体器件 阻挡图案 衬底 上表面 隔开 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n第一鳍型图案和第二鳍型图案，所述第一鳍型图案和第二鳍型图案从所述衬底的上表面突出并彼此隔开；/n第一半导体图案，其位于所述第一鳍型图案上；/n第二半导体图案，其位于所述第二鳍型图案上；和/n阻挡图案，其位于所述第一半导体图案和所述第二半导体图案之间，/n所述第一半导体图案的一部分插入到所述阻挡图案中。/n
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