[发明专利]一种低线宽半导体器件制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910329491.7 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110211873B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈智广;吴淑芳;林豪;林张鸿;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低线宽半导体器件制作方法及半导体器件，其中方法包括如下步骤：在半导体器件的基片上覆盖第一层光阻；第一层光阻曝光显影后形成低线宽结构底部开口的一侧边；在半导体器件的基片上覆盖第二层光阻，第二层光阻填平第一层光阻曝光显影后的开口；第二层光阻曝光显影后形成低线宽结构底部开口的另一侧边；对低线宽结构底部开口的进行结构沉积，在底部开口内形成低线宽结构；去除第一层光阻和第二层光阻，保留低线宽结构。本方案通过两次的曝光显影，从而形成低线宽结构的底部开口，而后可以沉积并形成低线宽结构，这样可以通过传统的对准曝光设备实现，有效降低设备投入成本及原材料费用，以及可以减少曝光时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低线宽 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种低线宽半导体器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体器件的基片上覆盖第一层光阻；第一层光阻曝光显影后形成低线宽结构底部开口的一侧边；在半导体器件的基片上覆盖第二层光阻，第二层光阻填平第一层光阻曝光显影后的开口；第二层光阻曝光显影后形成低线宽结构底部开口的另一侧边；对低线宽结构底部开口的进行结构沉积，在底部开口内形成低线宽结构；去除第一层光阻和第二层光阻，保留低线宽结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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