[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910283859.0 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110364489A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | J.P.康拉特;W.贝格纳;R.埃斯特夫;R.盖斯贝格尔;F.格拉泽;J.希尔森贝克;R.K.约施;S.克拉姆普;S.克里韦克;G.卢皮纳;楢桥浩;A.韦尔克尔;S.韦勒特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 秦宝龙;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括布置在半导体衬底上的接触金属化层、布置在半导体衬底上的无机钝化结构、以及有机钝化层。位于接触金属化层和无机钝化结构之间的有机钝化层垂直地位于比位于无机钝化结构顶部上的有机钝化层的一部分更靠近半导体衬底的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 有机钝化层 钝化结构 衬底 半导体 接触金属 化层 垂直地 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件（100、200），包括：接触金属化层（120），其被布置在半导体衬底（110）上；无机钝化结构（130），其被布置在半导体衬底（110）上；以及有机钝化层（140），其中该有机钝化层（140）的第一部分横向地位于接触金属化层（120）和无机钝化结构（130）之间，并且该有机钝化层（140）的第二部分位于无机钝化结构（130）的顶部上，并且其中该有机钝化层的第一部分垂直地位于比该有机钝化层的第二部分更靠近半导体衬底（110）的位置，其中该有机钝化层（140）的第三部分位于所述接触金属化层（120）的顶部上。
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