[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审

申请号：	201910251870.9	申请日：	2019-03-29
公开（公告）号：	CN109765751A	公开（公告）日：	2019-05-17
发明（设计）人：	黄增智;倪凌云;黄晓橹	申请（专利权）人：	德淮半导体有限公司
主分类号：	G03F1/36	分类号：	G03F1/36
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	薛异荣;吴敏
地址：	223302 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，修正方法包括：选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边；根据偏移补偿函数，获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量，第一初始补偿量具有第一补偿最小值和第一补偿最大值；获取第一处理边的第一目标补偿量，第一处理边中各位置处的第一目标补偿量相同，第一目标补偿量大于等于第一补偿最小值且小于等于第一补偿最大值；重复选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边、获取第一初始补偿量和第一目标补偿量的步骤，直至获取到所有第一待补偿边的第一目标补偿量；根据第一待补偿边和第一目标补偿量获取光刻补偿图形；对光刻补偿图形进行OPC修正，得到修正图形。所述方法提高了修正精度和修正效率。
搜索关键词：	目标补偿初始补偿修正光学邻近修正补偿图形位置处掩膜版偏移补偿重复选择光刻制作
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【主权项】：

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括若干第一类型子光刻图形；将第一类型子光刻图形分割为若干第一特征图形，所述第一特征图形具有第一待补偿边；提供偏移补偿函数；选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边；根据偏移补偿函数，获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量，第一处理边中各位置处的第一初始补偿量具有第一补偿最小值和第一补偿最大值；获取第一处理边的第一目标补偿量，第一处理边中各位置处的第一目标补偿量相同，第一目标补偿量大于等于第一补偿最小值且小于等于第一补偿最大值；重复选择任意一条第一待补偿边作为第一处理边、获取第一处理边中各位置处的第一初始补偿量、以及获取第一处理边的第一目标补偿量的步骤，直至获取到所有第一待补偿边的第一目标补偿量；根据第一待补偿边和第一待补偿边的第一目标补偿量，获取目标光刻图形对应的光刻补偿图形；对光刻补偿图形进行OPC修正，得到修正图形。

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摘要：本发明提供了利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法，包括：按照光刻胶边界到光刻胶打开区域内的前层有源区层和多晶硅层的距离，将离子注入层版图图形边界进行分类，其中将所述距离小于或等于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第一类别，将所述距离大于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第二类别；对第二类别的离子注入层版图图形边界添加第二尺寸的辅助图形，所述第二尺寸的辅助图形会在硅片上曝出图形；对第一类别的离子注入层版图图形边界添加第一尺寸的辅助图形，其中所述第一尺寸的辅助图形不会在硅片上曝出图形。

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申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种栅极区域的光学临近修正验证方法，包括：模拟OPC图形，并根据目标图形选择栅极图形；将栅极图形与有源区图形重合的边确定为栅极源区重合边；计算模拟图形的弧线终点离栅极源区重合边的距离，作为栅极区域拐角圆化距离；根据栅极区域拐角圆化距离，确定栅极图形OPC验证区域的第一OPC验证区域；利用第一OPC验证方法验证第一OPC验证区域，以获取第一验证结果；将栅极图形OPC验证区域中的除了第一OPC验证区域之外的其它区域确定为第二OPC验证区域；利用第二OPC验证方法验证第二OPC验证区域，以获取第二验证结果；将第一验证结果和第二验证结果合并以输出最终结果。

降低光学邻近修正的边缘定位误差的方法-201410405863.7
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申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提出了一种降低光学邻近修正的边缘定位误差的方法，包括：a.对掩模板图形进行光学模拟；b.解析触点的轮廓；c.以计算出该轮廓的边缘定位误差；d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围；e.如果该轮廓的边缘定位误差超出该轮廓目标范围，则e1.检查该轮廓的多条侧边中的每一条的内部和/或外部关键尺寸是否触及掩模板设计规则的极限；e2.如果没有触及，则移动该侧边，且如果触及，则切除该侧边的边角；e3.用经步骤e2处理的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形，再重新执行该方法；以及f.如果该轮廓的边缘定位误差达到该轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正。

一种降低ESD风险的版图处理方法-201610510504.7
发明人：何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种降低ESD风险的版图处理方法，包括：第一步骤：获取原始的注入层掩模板；第二步骤：选择原始的注入层掩模板中易发生ESD效应的图形边；第三步骤：针对易发生ESD效应的图形边优化原始的注入层掩模板；第四步骤：对优化后的注入层掩模板执行光学邻近校正处理以获得最终的注入层掩模板。

光刻版、互连线图形的光刻方法及互连线的制备方法-201610370155.3
发明人：张月雨;于世瑞;蒋斌杰;张瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种光刻版、互连线图形的光刻方法及互连线的制备方法，通过将第一互连线图形的一端设计为具有多级台阶状边缘的图形，通过调节台阶的高度与台阶的宽度的大小及比例来控制多级台阶状边缘经OPC修正后的倾斜角，解决了现有工艺中由于设计规则限制，只能制备45°或90°倾斜角的互连线的问题，实现了互连线倾斜角的自由可调，为提高器件的性能提供了一种可行性途径。

用于执行版图OPC处理的方法-201610585550.3
发明人：孟鸿林;魏芳;何大权 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种用于执行版图OPC处理的方法，包括：系统接收集成电路的版图布局数据；系统将集成电路的版图布局数据切割成多个初始版图布局图形；系统确定切割后每一个初始版图布局图形的第一图形密度；系统调用建立OPC处理模型时所对应的第二图形密度；系统根据第二图形密度和第一图形密度的差值大小在版图布局数据上添加亚分辨率辅助图形以得到新版图数据；系统确定添加亚分辨率图形之后得到的新版图数据的新图形密度；系统调用OPC处理模型对新版图数据进行OPC处理并得到最终版图布局；系统将每一块经过处理好之后的版图布局进行拼接；系统将拼接的总版图布局存储起来做为预备掩膜版数据。

一种辅助图形的添加方法-201611259536.0
发明人：胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种辅助图形的添加方法，包括：提供一OPC目标图形，根据辅助图形基准规则，选取其中只能加入一根辅助图形部分的规则,建立辅助图形额外规则；把目标图形整体进行放大，使目标图形的所有边向外扩展A距离；基于辅助图形额外规则，将该辅助图形额外规则中相应目标图形之间的距离值减去2A；并且，基于A距离，将辅助图形额外规则中因目标图形整体放大而受到影响的其他参数进行相应调整；运行辅助图形额外规则，生成第一辅助图形；以第一辅助图形作为新增的参考图形，对目标图形执行辅助图形基准规则，生成第二辅助图形；将第一辅助图形，第二辅助图形和其它已有辅助图形叠加构成最终的辅助图形。

一种增强OPC处理精度的方法-201611047406.0
发明人：孟鸿林;魏芳;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种增强OPC处理精度的方法，通过利用建立工艺热点库信息，对出版数据进行热点分析和MEEF值判定，对MEEF值在设定值以上的高MEEF图形进行加强OPC图形修正和检查，在此基础上对工艺热点库进行不断升级，可改善以往在OPC修正时出现的对重复图形区域在不同的地方随机修正结果不一样的问题，提高高MEEF图形的OPC处理精度，并保持OPC修正结果的一致性；本发明可以和现有的处理方法兼容，同时可以大幅减少系统的运行时间，不但克服了传统设计随意性和数据的冗余性，提高了版图的处理效率，而且可以降低OPC处理的复杂度和运行时间。

曝光辅助图形的优化方法-201410371051.5
发明人：张月雨;毛智彪;张瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种曝光辅助图形的优化方法，包括收集工艺窗口数据，建立工艺窗口OPC模型；收集SRAF参数的安全范围；设计周期渐变测试图形；基于简单规则和基于模型分别添加SRAF；得到工艺波动带宽值，并对该测试图形进行周期划分；对该测试图形的各周期区间设定工艺波动带宽上限值；分别优化各周期区间的曝光辅助图形SRAF参数；实现曝光辅助图形的规则优化。本发明能高效快捷地实现曝光辅助图形添加规则的优化，减少运算量，运行时间可以比基于模型的方式减少近60％。

降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法-201410219282.4
发明人：张婉娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法，包括：a.对掩模板图形进行光学模拟，所述掩模板图形中包含通孔；b.解析所述通孔的轮廓，其中所述轮廓包含多条边；c.计算出该轮廓的边缘定位误差；d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围；e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围，则e1.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级；e2.依照所述优先级的次序，对所述掩模板图形进行修正；e3.用经步骤e2修正的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形，再对该经步骤e2修正的掩模板图形重新执行该方法；以及f.如果该轮廓的边缘定位误差达到所述轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正。

增强光刻工艺窗口的光学邻近修正方法-201410218385.9
发明人：张婉娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种增强光刻工艺窗口的光学邻近修正方法，包括步骤：A.提供待修正的原始图形；B.插入基于规则的散射条，作为原始散射条；C.选择出孤立的散射条并将其扩大，对该扩大规则进行精调；D.执行光学邻近修正；E.检查修正后的散射条是否在晶圆上显影出来，若否，进入步骤F；若是，则返回上述步骤C；F.输出经过光学邻近修正后的图形。本发明能够明显地改善光刻工艺窗口，改进光学邻近修正质量，使之具有更好的收敛性。另外还能够减少手动调试时间，加快OPC工艺菜单的开发。

一种提高孔层边缘图形工艺窗口的SRAF方法-201910529974.1
发明人：解为梅;刘雪强;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种提高孔层边缘图形工艺窗口的SRAF方法，至少包括：提供边缘图形；在所述边缘图形的上方、下方加入水平摆放的辅助图形；同时在该边缘图形的外侧加入竖直摆放的辅助图形；在所述边缘图形外侧的斜上方、斜下方分别加入辅助图形。孔状图形边缘处的工艺窗口较小，本发明用PW model拟合对比不同SRAF尺寸和位置，得出合理的SRAF加法，能够有效提高边缘孔图形的对比度，对后期OPC出版图形具有指导意义，从而提高孔层的工艺制作质量。

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申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供一种使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程。具体实施例包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征(SARF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测将透印至阻剂的多个次解析辅助特征；检查所侦测的次解析辅助特征的尺寸以判断一个或多个次解析辅助特征是否将渗透蚀刻至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。

OPC前期对版图的处理方法-201410466059.X
发明人：金晓亮;钟政;袁春雨 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明揭示了一种OPC前期对版图的处理方法。该方法包括：添加一辅助单元，将版图中的图形容纳在一起；利用辅助单元对较小单元和非重复单元进行合并；对所述辅助单元及重复单元进行分割，形成多个分割部分；分割后，重复单元中含有与辅助单元相重叠的分割部分作为辅助单元的分割部分；对各个分割部分进行分布式并行处理。通过分割后实现分布式并行处理，简化了处理过程，提高了处理效率。

基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法-201610326182.0
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摘要：本发明提供了一种基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法，包括：第一步骤：根据通孔与上下层的互连关系选择出单一通孔；第二步骤：在对目标图形进行分段后，选择出互相之间受到掩模板规则限制的密集线端；第三步骤：选择线端对单一通孔包含量小于规定值的线端；第四步骤：根据第二步骤与第三步骤选定的线端进行逻辑运算，得到在光学临近修正处理中被限制的线端；第五步骤：为第四步骤确定的在光学临近修正处理中被限制的线端设定最大修正量；第六步骤：进行基于模型的光学临近修正迭代过程，得到最终光学临近修正结果。

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发明人：闫晓红;曾凡志;任关涛;李俊生;叶青贤 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
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摘要：本发明公开了一种光刻版及应用光刻版制作发光二极管的方法，属于半导体技术领域。所述光刻版应用于制作发光二极管，发光二极管包括衬底、层叠在衬底上的外延片、以及设置在外延片上的电极，电极包括焊盘和沿垂直于发光二极管的生长方向延伸的电极线，光刻版为圆形板，圆形板上设有多个形状与焊盘和电极线一致的通孔，圆形板分为至少两个区域，至少两个区域包括一个圆形区域和至少一个圆环区域，至少两个区域的圆心均与圆形板的圆心重叠，同一区域内的通孔的线宽相同，不同区域内的通孔的线宽自圆形板的圆心向外逐个增大，通孔的线宽为通孔中与电极线的形状一致的区域的宽度。本发明提高了对档率。

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金属硬掩模一体化刻蚀中桥接位置的检测方法-201510489081.0
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摘要：本发明公开了一种金属硬掩模一体化刻蚀中桥接位置的检测方法，通过在金属层的光学临近效应修正、并经过实际刻蚀变化量调整后的金属层刻蚀模拟图形中，导入金属硬掩模一体化刻蚀的相关通孔层的经过光学临近效应修正、并经过实际刻蚀变化量调整后的通孔层刻蚀模拟图形，合并金属层和通孔层的刻蚀模拟图形，可以判断每个相关通孔层和相邻金属层的间距，从而检测整个金属硬掩模一体化刻蚀中是否有桥接风险的位置，以便在掩模板制造前加以修正。

一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法-201510591365.0
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申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法，使用初始OPC离焦模型模拟所有数据点在各个离焦条件下的线宽，得出每个数据点在不同离焦条件下线宽的变化范围，再选择线宽变化范围比较大的数据点作为建立离焦模型的数据点，同时加入若干个经过OPC修正的二维测试图形，以保证模型对二维图形预测的准确度。本发明提供的光学邻近效应修正离焦模型的校准方法，通过选择对焦距变化较为敏感的数据点来收集晶圆数据，大大减少了数据点的数量，缩短了OPC离焦模型校准的耗时，同时，在OPC离焦模型数据收集中加入二维测试图形，可以保证离焦模型对二维图形的预测的准确性。

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发明人：万金垠;王谨恒;张雷;陈洁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G03F1/36
摘要：一种光学邻近效应修正方法，线段的目标位置点的设置方式不再是固定的，而是随着图形变化的，通常选取该线段对应的模拟图形的曲线端点作为目标位置点的参考位置。该曲线端点可以按以下方法判断：若线段在线段的垂直方向平移，线段与模拟图形的相切点即为曲线端点，此时该曲线端点与目标位置点重合。对于该线段而言，通常在该曲线端点对应位置的EPE最大，根据EPE再进行图像修正，可以有效减少修正次数，降低修正不足或修正过量的程度，使模拟结果与目标值更加匹配，提高修正效率和修正精度。还提供一种光学邻近效应修正系统。

一种提高OPC修正精度的方法-201610367932.9
发明人：何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种提高OPC修正精度的方法，针对因受到邻近其他图形影响而无法得到最佳OPC结果的图形片段，在基于模型的OPC修正处理前，通过对局部图形边进行预处理，以改变后续基于模型的OPC处理中图形边的切割或分段结果，从而提高了OPC修正的精度，可得到更为优化的OPC结果。

基于样本库和数据拟合的快速三维掩模衍射近场计算方法-201510069623.9
发明人：马旭;高杰;陈譞博;董立松;李艳秋 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明一种基于样本库和数据拟合的快速三维掩模衍射近场计算方法的具体过程为：建立三维掩模衍射矩阵样本库，并计算对应于凸角、凹角和边缘区域的衍射近场数据修正因子；对于一个需要计算其衍射近场的三维掩模，确定掩模上的观测点，并为每个观测点分配一个子区域；以每个观测点为中心，在其周围掩模区域内取一个正方形区域；根据此正方形区域和样本库，采用核回归技术和数据拟合方法，分别计算每个观测点对应的衍射矩阵回归结果；最后，将所有观测点的衍射矩阵回归结果填充到对应的子区域中，从而拼接成对应整个三维掩模的衍射矩阵计算结果。该方法能够考虑三维掩模图形中的拐角结构对其衍射近场的影响，提高三维掩模衍射近场的计算精度。

光学临近修正中的二维图形快速识别方法-201510490476.2
发明人：金晓亮;钟政;袁春雨 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G03F1/36
摘要：一种光学临近修正中的二维图形快速识别方法，包括：在图形边沿放置一系列法线方向采样点，并利用快速卷积算法获得法线方向采样点光学强度；采用法线方向采样点光学强度对法线方向采样点做三次样条拟合，根据光学模型中光强反应临近值估计光学边界，随后在图形的光学边界处计算一阶差分以估算图形边沿处的斜率；在图形边沿放置一系列切线方向采样点，并利用快速卷积算法，以获得采样的切线采样点光强；计算每个切线采样点光强和参考点光强的差值，并且利用所述差值并根据斜率来估算切线漂移；利用所述光学边界估算步骤中估计出的光学边界、以及切向边界漂移，执行二维弯曲估算。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审

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